型号：BP104FAS-R18
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.2A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：9.5mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：13mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5V：18mΩ
　　阈值电压（Vth）典型值：1.2V
　　输入电容（Ciss）典型值：1070pF
　　输出电容（Coss）典型值：340pF
　　反向传输电容（Crss）典型值：70pF
　　栅极电荷（Qg）典型值：16nC
　　上升时间（tr）典型值：15ns
　　下降时间（tf）典型值：10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8（带散热焊盘）或等效小型封装

BP104FAS-R18采用了罗姆专有的Trench MOSFET技术，这种结构通过在硅基底上构建垂直沟道来显著降低导通电阻，从而提高器件的电流处理能力和能效表现。其低至13mΩ的RDS(on)（在VGS=4.5V时）使得在大电流条件下产生的焦耳热更少，有助于简化热管理设计，尤其适合高密度电源模块。该器件支持2.5V以上的栅极电压即可实现有效导通，在现代低电压微控制器直接驱动场景中表现出色，无需额外的电平转换电路。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。得益于较小的输入和输出电容，BP104FAS-R18在高频开关应用中展现出较低的动态损耗，有利于提升DC-DC变换器的转换效率，尤其是在同步整流拓扑中作为下管使用时效果显著。同时，其栅极电荷仅为16nC左右，意味着驱动电路所需提供的能量较少，进一步降低了驱动损耗。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和长期可靠性。其封装设计包含一个暴露的散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至底层地平面，实现高效的散热路径。这使得即使在持续高负载运行条件下，芯片结温也能维持在安全范围内。此外，器件经过严格测试，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（若适用），可用于对稳定性要求较高的工业与车载环境。
　　ESD保护方面，BP104FAS-R18内置了一定程度的静电放电防护机制，HBM模型下的耐压可达数千伏，提升了生产装配过程中的安全性。同时，它具有一定的单次雪崩能量承受能力，能够在突发过压或感性负载关断过程中提供基础保护，避免因瞬态应力导致永久性损坏。这些综合特性使其成为中小功率电源系统中理想的开关元件选择。

BP104FAS-R18广泛应用于多种中低功率电子系统中，特别适用于需要高效、小体积和快速响应的电源管理场景。常见应用包括但不限于：同步降压型DC-DC转换器中的主开关或同步整流器，用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备的电源模块；电池供电系统的负载开关或热插拔控制，利用其低导通电阻减少待机损耗并提升续航能力；电机驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换；LED背光或照明驱动中的恒流调节开关；以及各类消费类电子产品中的电源多路复用与隔离控制。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元或通信接口的电源管理部分。由于其具备良好的高温工作稳定性，也可部署于紧凑型AC-DC适配器或USB PD电源模块中，配合控制器实现高效的电压变换与稳压功能。此外，在电池管理系统（BMS）中，BP104FAS-R18可用于充放电通路的主动开关，确保能量流动的安全可控。
　　对于需要逻辑电平直接驱动的应用，例如由MCU GPIO引脚控制的电源通断，BP104FAS-R18凭借其在2.5V~3.3V栅压下仍能保持较低RDS(on)的特性，可省去专用驱动IC，简化电路设计并降低成本。其小型封装也便于在高集成度PCB布局中使用，尤其适合自动化贴片生产工艺，满足大批量制造需求。总体而言，该器件在追求高性能与空间效率平衡的设计中具有重要价值。

DMG2305UX-7
　　SI2305DDS-T1-E3
　　FDS6680A