类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.0A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω @ VGS = 4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 2.5V
　　功率耗散（PD）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSMT4

BM29U0.6-2DP/2-0.35V(86) 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗和更高的能效。其导通电阻在 VGS = 4.5V 时仅为 0.35Ω，在 VGS = 2.5V 时为 0.45Ω，这使得它适用于低电压驱动电路，如便携式设备中的 DC-DC 转换器。
　　此外，该器件采用了 ROHM 的先进沟槽式 MOSFET 技术，提供了更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而在保持高性能的同时实现更紧凑的封装设计。TSMT4 封装具有四个引脚，其中两个漏极引脚和两个源极引脚，有助于降低封装电阻和电感，提高高频应用中的性能。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，最大功率耗散为 2.0W，并可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其 ±12V 的最大栅源电压确保了在不同驱动条件下器件的稳定性和可靠性。
　　由于其优异的性能和紧凑的封装设计，BM29U0.6-2DP/2-0.35V(86) 适用于多种功率管理应用，包括同步整流、负载开关、马达控制和电池供电设备中的电源转换电路。

BM29U0.6-2DP/2-0.35V(86) 主要应用于高效能电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和马达驱动电路。它也广泛用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。此外，该器件适用于工业自动化控制系统、汽车电子设备以及电池管理系统（BMS），在这些应用中，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提升整体系统效率和可靠性。该器件还可用于 LED 驱动器、电源适配器和电源管理 IC（PMIC）中的功率开关元件。

Si2302DS、FDN340P、AO3400A、R6004KN、FDS6680