产品类型：铁氧体磁珠
　　尺寸：2.0mm x 1.2mm x 0.8mm（公制）
　　额定电流：100mA
　　阻抗（100MHz）：1800Ω ± 25%
　　直流电阻（DCR）：0.35Ω 最大
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：88（2312封装）
　　RoHS合规：是

BM23FR0.8-18DP-0.35V(895) 具有优异的高频噪声抑制能力，尤其在100MHz左右表现出较高的阻抗值（1800Ω），能够有效吸收并衰减高频干扰信号。其低直流电阻（最大0.35Ω）确保在通过工作电流时不会产生明显的电压降，从而避免影响电路正常运行。该磁珠采用紧凑的2312封装（2.0mm x 1.2mm），适合高密度PCB布局，满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。此外，其结构设计具备良好的机械稳定性和耐热性能，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，适用于多种恶劣环境。Rohm的铁氧体材料技术使其在高频段具有优异的磁导率和低损耗特性，确保在抑制噪声的同时不会对信号完整性造成显著影响，广泛应用于电源管理、通信接口、音频系统和射频电路等领域。
　　这款磁珠还具有良好的焊接性能，适用于标准的SMT（表面贴装技术）工艺，便于自动化生产和组装。其材料符合RoHS指令，适用于绿色环保的电子制造流程。在实际应用中，该磁珠可有效提升系统的EMC性能，减少因高频噪声引起的误动作或通信干扰，确保电子设备的稳定性和可靠性。

BM23FR0.8-18DP-0.35V(895) 主要用于需要高频噪声抑制的电子电路中。常见应用包括：电源线上的去耦滤波，用于消除开关电源产生的高频噪声；信号线和数据线上的噪声抑制，提升通信系统的稳定性和抗干扰能力；音频和视频设备中的模拟信号路径滤波，防止高频干扰影响音视频质量；无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等）中的RF干扰抑制，提高接收灵敏度和传输质量；嵌入式系统和微控制器系统中用于去耦和电源滤波，确保芯片稳定工作；消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等）中用于EMC优化，满足电磁兼容性法规要求。

BLM21PG182SN1D（Murata）、HF103M（TDK）、SMT1265-182Y（Bourns）