时间：2025/9/4 10:41:07
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BM23FR0.6-8DS-0.35V(880) 是一款由罗姆半导体（ROHM）生产的非易失性FRAM（铁电存储器）芯片。该芯片结合了SRAM的速度和Flash的非易失性特性，具有高速读写、低功耗和高耐久性等优点。该器件采用先进的铁电技术，确保数据在断电后依然能够可靠保存。BM23FR0.6-8DS-0.35V(880) 主要面向需要频繁写入和高速数据存储的应用场景，适用于工业控制、智能卡、医疗设备和高可靠性系统等领域。
容量：8Mbit
组织结构：1M x8
电源电压：0.35V
访问时间：8ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
接口类型：并行接口
非易失性存储器类型：FRAM（铁电存储器）
封装引脚数：54
BM23FR0.6-8DS-0.35V(880) 以其独特的铁电存储技术，提供了卓越的性能表现。其读写速度与传统SRAM相当，但具备非易失性，能够在断电情况下保持数据完整。此外，该芯片支持高达10^12次的读写耐久性，远超传统EEPROM和Flash存储器，使其非常适合需要高频数据写入的应用场景。其低功耗设计也使其适用于电池供电设备和绿色电子产品。
这款FRAM芯片还具有极高的数据保持能力，即使在极端温度条件下也能确保数据的长期可靠性。其0.35V的低工作电压特性进一步降低了系统功耗，有助于延长设备的使用寿命并提高能效。BM23FR0.6-8DS-0.35V(880) 支持高速并行接口，兼容多种主流微控制器和嵌入式系统，简化了系统集成过程。此外，该芯片符合RoHS标准，支持环保设计，适用于全球范围内的电子设备制造。
BM23FR0.6-8DS-0.35V(880) 适用于多种高性能和高可靠性应用场景，如工业自动化系统中的实时数据存储、智能卡终端设备的数据缓存、医疗监测设备的数据记录、车载电子系统的配置存储，以及各种需要频繁写入和高速访问的嵌入式系统。由于其非易失性和高耐久性，它也是替代传统EEPROM和低密度Flash存储器的理想选择，尤其适用于需要长时间数据保留和频繁更新的场景。
FM23MLD808A-100TAA
