容量：23Kbit
　　组织方式：0.6K × 8
　　工作电压：0.35V
　　最大工作频率：50MHz
　　接口类型：SPI
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN（Dual Flat No-lead）
　　功耗：低功耗设计
　　写入耐久性：1012 次/位
　　数据保持时间：10 年以上

BM23FR0.6-50DP-0.35V(895) 是一款高性能、低功耗的非易失性存储器芯片，采用先进的 FRAM 技术。与传统的 EEPROM 或 Flash 存储器相比，FRAM 具有更快的写入速度和更高的写入耐久性，支持几乎无限次的读写操作，而不会出现存储单元磨损的问题。此外，该芯片在 0.35V 的低电压下即可正常工作，使其适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。
　　该芯片的 SPI 接口使其与微控制器或其他主控设备的连接更加简便，并且在高速模式下可达到 50MHz 的通信速率，确保了快速的数据存取。其工作温度范围宽达 -40°C 至 +85°C，适合在各种工业环境中稳定运行。该芯片还具备出色的数据保持能力，在无电源供电的情况下仍可确保数据保存 10 年以上，无需额外的备用电源或复杂的存储管理机制。
　　封装方面，BM23FR0.6-50DP-0.35V(895) 采用 DFN（Dual Flat No-lead）封装，体积小巧且具有良好的热性能和电气性能，非常适合空间受限的便携式设备设计。由于其出色的可靠性、低功耗和高速性能，这款芯片广泛应用于智能电表、工业自动化设备、医疗监测设备以及可穿戴电子产品等。

该芯片广泛应用于需要高频写入、低功耗和数据非易失性的领域，如智能电表的数据存储、工业控制系统中的实时数据记录、医疗设备的患者数据保存、便携式电子设备的临时数据缓存以及物联网（IoT）设备的数据采集与存储。

FM25V05-GTR、MB85RS2MT-0.35V、CY15B104Q-SNDFN-B3