时间:2025/10/11 6:05:30
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BM13B-XASS-TF(LF)(SN) 是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护等应用场景。该器件采用小型表面贴装封装(SOD-123FL),适合高密度PCB布局,具备低正向压降和快速开关特性,有助于提升电源系统的整体效率。该型号中的‘LF’表示产品符合无铅(Lead-Free)环保要求,适用于符合RoHS标准的电子产品制造。其工作温度范围宽,能够在-55°C至+150°C的环境下稳定运行,确保在严苛工业与汽车电子应用中的可靠性。BM13B-XASS-TF(LF)(SN) 的设计注重功耗控制与热稳定性,广泛用于便携式设备、消费类电子及车载信息娱乐系统中。
类型:肖特基势垒二极管
封装/包装:SOD-123FL
是否无铅:是
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大正向平均电流(IF(AV)):200mA
最大正向压降(VF):450mV @ 10mA, 800mV @ 200mA
最大反向漏电流(IR):100μA @ 25°C, 30V
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
热阻(Rth(j-a)):约450°C/W
峰值浪涌电流(IFSM):4A
BM13B-XASS-TF(LF)(SN) 作为一款高性能肖特基势垒二极管,其最显著的特性之一是低正向导通压降。在10mA的小电流条件下,正向压降仅为450mV左右,而在额定200mA电流下也不超过800mV,这一特性显著降低了导通损耗,提升了电源转换效率,特别适用于电池供电的低功耗系统。由于肖特基二极管的载流子传输机制基于多数载流子,因此不存在少数载流子存储效应,使得该器件具备极快的反向恢复速度,反向恢复时间通常在几纳秒以内,几乎可以忽略不计。这一优势使其在高频开关电路中表现出色,能有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,尺寸紧凑,典型外形尺寸为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm,非常适合空间受限的高集成度电子产品设计。尽管体积小,但其热性能经过优化,在自然对流条件下仍能保持良好的散热能力,确保长期工作的稳定性。此外,BM13B-XASS-TF(LF)(SN) 具有出色的温度稳定性,在高温环境下反向漏电流增长缓慢,在125°C时仍可保持较低的漏电水平,增强了高温应用下的可靠性。
产品符合RoHS指令要求,采用无铅焊接工艺和绿色环保材料制造,支持现代电子产品的环保合规需求。其机械强度高,抗振动和冲击能力强,适用于汽车电子等恶劣工作环境。同时,该器件具有较高的峰值浪涌电流承受能力(可达4A),能够在瞬态过流或启动冲击中保持安全运行,提高了系统鲁棒性。ROHM对该型号实施严格的品质管控,确保批次一致性与长期供货能力,广泛用于工业控制、通信模块和消费类电源管理单元中。
BM13B-XASS-TF(LF)(SN) 广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电子电路中。常见用途包括DC-DC转换器中的整流与续流二极管,特别是在降压(Buck)和升压(Boost)拓扑结构中,利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率。该器件也常用于电源反接保护电路,防止因电池或电源极性接反而损坏后级电路。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该二极管用于电池充放电路径管理,降低功耗并延长续航时间。此外,在LED驱动电路中,它可作为防倒灌二极管使用,确保电流单向流动。在汽车电子领域,该器件适用于车身控制模块、车载充电器和传感器供电单元,因其宽工作温度范围和高可靠性而受到青睐。工业自动化设备、IoT节点和无线通信模块中也广泛采用此类小型高效二极管以优化电源设计。