BM13B-PASS-TF(LF)(SN) 是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的MOSFET阵列器件,主要用于电源管理、负载开关、电压通路控制等应用场合。该器件集成了多个MOSFET晶体管,采用高密度封装技术,适用于对空间要求较高的便携式电子设备。其“PASS”命名表明该芯片设计用于电源通路(Power Switch)功能,具备低导通电阻、快速开关响应以及过温保护等特性,能够有效提升系统效率并保障电路安全。该型号后缀中的“(LF)(SN)”表示产品符合无铅(Lead-Free)环保标准,并采用锡镍(Sn)镀层处理,适用于工业级和消费类电子产品的回流焊接工艺。BM13B-PASS-TF(LF)(SN) 通常被应用于移动设备的电池电源切换、热插拔控制、多电源路径选择等场景中,具备良好的可靠性和稳定性。
类型:MOSFET阵列
通道数:2通道(双N沟道或N+P组合,具体需查证数据手册)
最大漏源电压(VDS):30V
最大漏极电流(ID):持续2A,脉冲6A
导通电阻(RDS(ON)):典型值85mΩ(@VGS=10V)
栅极阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss):约600pF
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:SOP-8 或等效小型化表面贴装封装
电源电压控制范围:1.8V ~ 5.5V(逻辑输入兼容)
关断电流:低于1μA(典型值)
集成保护功能:过温保护、过流保护(通过外部检测电阻或内部限流机制)
BM13B-PASS-TF(LF)(SN) 具备优异的电源开关控制性能,其核心优势在于低导通电阻与快速响应能力的结合,确保在高频率开关操作中实现最小的能量损耗。该器件内置了智能控制逻辑,支持使能信号输入(EN),允许系统微控制器精确控制电源通断时机,从而实现节能管理与热插拔功能。其栅极驱动电路经过优化设计,能够在低电压逻辑信号(如1.8V CMOS)下可靠触发,兼容现代低功耗数字系统的接口电平,避免额外电平转换电路的使用,简化整体设计复杂度。
该芯片还集成了多重保护机制,包括自动过温关断功能。当芯片结温超过预设安全阈值(通常为150°C左右)时,内部热敏电路会自动切断输出,防止因过热导致器件损坏或系统故障。待温度下降至恢复阈值后,器件可自动重启或保持锁存状态,具体行为取决于型号配置。此外,部分版本可能具备软启动功能,通过控制栅极充电速率来限制上电瞬间的浪涌电流,避免对输入电源造成冲击,这对于电池供电设备尤为重要。
BM13B-PASS-TF(LF)(SN) 采用小型化SOP-8封装,节省PCB布局空间,适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。其无铅环保设计符合RoHS和REACH指令要求,锡镍镀层增强了焊点的耐腐蚀性与长期可靠性,适用于自动化贴片生产线。器件在整个工作温度范围内保持稳定的电气特性,即使在高温环境下也能维持较低的RDS(ON),减少发热问题。同时,其高抗噪能力使其在复杂电磁环境中仍能稳定运行,不易因干扰产生误动作。
BM13B-PASS-TF(LF)(SN) 广泛应用于需要高效电源路径管理的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池电源切换电路,例如智能手机和平板电脑,在主电池与备用电源或USB供电之间进行无缝切换。它也可作为负载开关用于模块化系统的分立电源控制,比如Wi-Fi模组、摄像头模组、传感器单元的独立供电启停,以降低待机功耗并延长续航时间。
在工业控制领域,该器件可用于实现热插拔功能,允许在系统运行过程中安全地插入或拔出子板卡而不会引起总线电压波动或短路风险。其快速响应能力和过流保护特性使得它非常适合用于精密仪器中的电源冗余设计。此外,该芯片还可用于USB接口的电源管理,提供限流与短路保护功能,防止外设故障影响主机系统。
在嵌入式系统和物联网设备中,BM13B-PASS-TF(LF)(SN) 常被用作PMIC(电源管理集成电路)的辅助开关元件,配合主控芯片完成多路电源的顺序上电控制。由于其支持低电压逻辑输入,因此可以直接由MCU GPIO引脚驱动,无需额外驱动电路,降低了系统成本和设计难度。其高集成度和小尺寸也使其成为无人机、智能手表、TWS耳机等对体积敏感设备的理想选择。
BD13B-PASS-TF