型号：BM13B-CZSS-TF(LF)(SN)
　　封装类型：CZSS（DFN1010）
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压Vds：20V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：2.8A
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：95mΩ
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=2.5V）：130mΩ
　　栅源阈值电压Vgs(th)：0.6V ~ 1.0V
　　最大栅源电压Vgs：±12V
　　功耗Pd：500mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　输入电容Ciss：约130pF
　　反向恢复时间trr：不适用（非体二极管主导应用）
　　极性：单N沟道
　　安装方式：表面贴装SMT

BM13B-CZSS-TF(LF)(SN) 具备优异的低导通电阻特性，尤其是在低栅极驱动电压条件下表现突出。当Vgs为2.5V时，其典型Rds(on)仅为130mΩ，这使得它非常适合用于3.3V或更低电压供电的逻辑控制电路中，例如由微控制器直接驱动的开关应用。这种低阈值和低驱动电压兼容性显著提升了系统的响应速度和能效，避免了额外电平转换电路的需求，从而简化了PCB布局和系统成本。
　　该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，确保在小封装内实现良好的热稳定性和载流能力。尽管其封装尺寸仅为1.0mm x 1.0mm，但通过优化芯片与封装之间的连接结构，实现了较低的热阻，有助于热量快速传导至PCB焊盘，延长器件寿命并提高长期运行的可靠性。此外，其超小体积特别适用于高密度组装场景，如TWS耳机、智能手表、微型摄像头模组等空间受限的产品。
　　BM13B-CZSS-TF(LF)(SN) 还具备良好的抗瞬态过载能力，能够承受短时间内的浪涌电流而不发生热击穿。其栅氧层经过严格工艺控制，具有较高的耐用性，防止因静电放电（ESD）或电压尖峰导致的损坏。内置的体二极管虽然不是主要工作部分，但在某些换向或保护电路中也能提供一定的续流功能。整体而言，该MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间达到了良好平衡，是现代便携式电子设备中理想的功率开关元件。

该器件广泛应用于需要高效、小型化功率开关的各类电子系统中。典型应用场景包括移动设备中的电源路径管理，如智能手机和平板电脑中的电池充放电切换、外设电源域控制等。由于其低导通电阻和快速开关特性，常被用作负载开关来启用或禁用特定功能模块（如Wi-Fi模块、显示屏背光、摄像头传感器），以实现精细化的功耗管理，延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器拓扑中，BM13B-CZSS-TF(LF)(SN) 可作为同步整流器使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。尤其在升压或降压型稳压器的次级侧，其低Rds(on)和快速响应能力有助于减少能量损耗和发热，提升整体电源效率。此外，该MOSFET也适用于LED驱动电路中的开关控制，实现精确的亮度调节和节能运行。
　　在工业与消费类物联网设备中，该器件可用于信号切换、电机驱动中的低端开关、继电器替代方案以及各种数字控制的模拟开关应用。其SMT封装形式支持自动化贴片生产，适合大规模制造。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也保证了在恶劣环境下的稳定运行，适用于汽车电子外围模块、智能家居传感器节点等对可靠性和空间敏感的应用场合。

DMG2302UK-7
　　FDS6670AZ
　　AO1302A
　　SI2302DS
　　BSS138