类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：190A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

BM08191XRPBF具有多项优异的电气和物理特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于高功率密度设计至关重要。
　　其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压（Vds）高达60V，能够适用于多种中高压应用场合，同时其栅源电压（Vgs）支持±20V，增强了器件在高频开关应用中的稳定性。
　　再者，该器件采用TO-263封装形式，具有良好的热管理能力，能够在高电流工作条件下保持稳定运行，同时满足表面贴装工艺的需求，有助于提升生产效率。
　　此外，BM08191XRPBF在高温环境下仍能保持优异的性能表现，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于恶劣工业环境和汽车电子系统的应用需求。
　　最后，该MOSFET具有较高的可靠性和耐用性，经过严格的测试验证，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于对安全性与稳定性要求极高的汽车应用领域。

BM08191XRPBF广泛应用于多个高性能电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源管理：适用于高效率DC-DC转换器、同步整流器和电源模块设计，有助于提升整体系统能效。
　　2. 工业自动化：用于电机驱动、变频器和伺服系统中，提供稳定的高电流开关能力。
　　3. 汽车电子：广泛应用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等关键部件。
　　4. 负载开关：可作为高侧或低侧开关，用于控制大功率负载的通断，如LED照明、加热元件等。
　　5. 通信设备：适用于基站电源、网络交换设备及数据中心的高效电源供应系统。

SiR142DP-T1-GE3, FDP14N60FM, IPW60R045C7