BLY91C 时间：2025/12/27 22:18:38 阅读：18

BLY91C是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于射频（RF）功率放大器中，尤其是在VHF和UHF频段的广播与通信系统。该器件采用先进的LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术制造，专为高效率、高增益和高输出功率的射频应用而设计。BLY91C通常被用于FM广播发射机、电视发射机以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。其封装形式为高性能陶瓷封装，具备良好的热稳定性和高频性能，能够承受较高的工作温度并有效散热。该器件在设计上优化了跨导和输出电容，使其在88–108 MHz的FM广播频段内表现出色，是现代广播基础设施中的关键元器件之一。由于其高可靠性和长期稳定性，BLY91C被全球众多广播设备制造商所采用。

参数

类型：N沟道LDMOS晶体管
　　最大漏极电流（ID）：30 A
　　最大漏源电压（VDS）：125 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大功耗（PD）：150 W
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +200°C
　　增益（Gps）：典型值24 dB @ 100 MHz
　　输出功率（Pout）：典型值120 W @ 100 MHz
　　频率范围：30 MHz 至 500 MHz
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配设计
　　封装类型：SOT509（陶瓷双侧冷却封装）
　　通道数量：单通道

特性

BLY91C的核心优势在于其基于LDMOS工艺的先进结构设计，这种结构在保持高电子迁移率的同时，显著提升了器件的击穿电压和热稳定性。该器件在FM广播频段（88–108 MHz）中展现出卓越的线性度和高功率附加效率（PAE），通常可达65%以上，这对于降低系统能耗和减少散热需求至关重要。其高增益特性减少了前级驱动级的设计复杂度，有助于简化整体射频链路架构。此外，BLY91C具有较低的互调失真（IMD），确保在多载波环境下仍能维持高质量信号输出，这对数字广播和高清音频传输尤为重要。
　　BLY91C采用陶瓷封装与双侧冷却设计，极大提升了热传导效率，使器件能够在高环境温度下长时间稳定运行。该封装还具备优异的射频隔离性能和低寄生参数，有助于在高频条件下实现稳定的阻抗匹配。器件的栅极结构经过优化，降低了栅极电阻和寄生电感，从而提高了开关速度和频率响应能力。同时，其内置的静电放电（ESD）保护机制增强了在实际装配和运行过程中的可靠性。BLY91C还具备良好的雪崩耐受能力和抗负载失配能力，在驻波比（VSWR）异常升高的情况下仍能保持安全运行，避免因反射功率过高而导致器件损坏。这些特性共同使其成为高可用性广播发射系统中的理想选择。

应用

BLY91C主要用于地面广播发射系统，特别是FM立体声广播发射机中作为末级功率放大器（final power amplifier）。它适用于从低功率激励器到高功率主发射机的各种拓扑结构，包括AB类和C类放大器设计。在电视广播领域，该器件可用于VHF频段的模拟或数字电视信号放大。此外，BLY91C也广泛应用于工业加热、等离子体生成、射频激励源以及ISM频段（如13.56 MHz、27.12 MHz、40.68 MHz）的射频能量应用。由于其宽频带响应能力，该器件还可用于通用宽带射频功率放大模块的设计，适用于测试仪器、军用通信设备和应急广播系统。在专业音频传输和远程无线中继站中，BLY91C同样发挥着重要作用，提供高保真、低失真的信号放大能力。得益于其高可靠性和长寿命，许多运营商将其用于无人值守的远程发射站点，减少了维护频率和运营成本。