BLW23 时间：2025/12/27 21:45:15 阅读：13

BLW23是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于便携式设备和电源管理电路中。该器件采用紧凑型封装，适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及电池供电系统等。BLW23以其低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性著称，能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流承载能力与较低的功耗。其设计目标是优化电池寿命并提升整体能效，因此在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动及热插拔控制等应用中表现优异。该MOSFET兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或其他数字控制单元直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，BLW23具备优良的抗雪崩能力和可靠的栅极氧化层设计，增强了其在瞬态电压冲击下的鲁棒性。由于采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，BLW23在保持高性能的同时还实现了成本的有效控制，使其成为消费类电子产品中理想的功率开关选择。

参数

型号：BLW23
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：WSLP6B(1.4x1.0)
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：2.7A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：10.8A
　　导通电阻(RDS(on))_max：27mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))_max：32mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：典型值0.65V，范围0.4～0.9V
　　输入电容(Ciss)：典型值340pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：典型值110pF
　　反向传输电容(Crss)：典型值35pF
　　开启延迟时间(Td(on))：典型值5ns
　　关断延迟时间(Td(off))：典型值10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

特性

BLW23的最显著特性之一是其超低的导通电阻，在VGS=4.5V条件下最大仅为27mΩ，这使得器件在传导大电流时产生的I2R损耗极小，从而有效降低系统发热并提高电源效率。这一特性特别适用于高密度集成的移动设备电源路径管理。
　　其次，该器件支持逻辑电平驱动，在2.5V至4.5V的栅极电压范围内即可实现充分导通，这意味着它可以与3.3V或更低电压的微处理器或电源管理IC直接连接，无需外加驱动电路，简化了系统设计并节省PCB空间。
　　BLW23采用WSLP6B小型化晶圆级芯片封装，尺寸仅为1.4mm × 1.0mm × 0.4mm，具有极佳的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产，并能在有限空间内实现高性能功率切换功能。
　　该MOSFET还具备良好的开关特性，输入电容和反向传输电容均经过优化，减少了开关过程中的能量损耗和噪声干扰，提升了高频工作的可靠性。同时，其快速的开启和关断响应时间（典型值分别为5ns和10ns），使其非常适合用于高频DC-DC变换器拓扑结构，如同步整流Buck或Boost电路。
　　此外，BLW23内置了热保护机制的设计考量，能够在结温接近极限时通过外部电路进行限流或关断操作，防止器件因过热损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也确保了在极端环境条件下的稳定运行，增强了产品的环境适应能力。

应用

BLW23常被用于各类低电压、高效率的功率控制场合。在便携式电子设备中，它广泛应用于电池供电系统的电源开关，作为主电源通断控制或子系统供电使能开关，以实现精确的能耗管理和延长续航时间。
　　在DC-DC转换器中，BLW23可用作同步整流器或高端/低端开关元件，尤其适用于12V或5V输入转3.3V、1.8V等低压输出的小功率降压变换器，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并减少热量积累。
　　该器件还可用于负载开关电路，用于控制显示屏背光、摄像头模组、无线模块等外设的上电时序，避免浪涌电流对主电源造成冲击。同时，其软启动功能可通过外部RC网络实现，进一步增强系统可靠性。
　　在热插拔控制器或USB电源管理中，BLW23可用于实现安全的设备接入与断开，配合过流检测和电压监控电路，提供短路保护和故障隔离能力。
　　此外，BLW23也适用于小型电机驱动、LED驱动电路以及传感器供电控制等领域，凭借其高集成度和稳定性，满足现代消费类电子产品对小型化、高效能和高可靠性的综合需求。