时间：2025/12/27 21:38:12
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BLV98CE是一款高性能、高可靠性的双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），广泛应用于射频（RF）功率放大和高频开关电路中。该器件由STMicroelectronics公司生产，属于其高频率晶体管产品线的一部分，专为在甚高频（VHF）和特高频（UHF）频段下工作的通信系统设计。BLV98CE采用先进的制造工艺，具备优良的增益特性、低噪声系数以及出色的热稳定性，使其成为基站放大器、电视广播发射设备、工业射频加热系统以及专业无线通信设备中的理想选择。该晶体管为NPN型结构，适用于Class AB或Class C放大器配置，能够在较高的工作电压和输出功率条件下保持稳定性能。其封装形式为SOT-136A（也称为BFP-3），这种陶瓷金属封装不仅提供了良好的散热性能，还具备优异的高频响应特性，适合在严苛的电磁环境和高温条件下长期运行。BLV98CE的工作频率范围通常覆盖从几十MHz到超过1GHz，具备较高的增益带宽积，能够支持宽带信号放大需求。此外，该器件经过严格的可靠性测试，符合工业级质量标准，具备良好的抗静电能力和长期工作稳定性，适用于需要高可用性和长寿命的关键应用场合。
BLV98CE的设计注重高频性能与热管理之间的平衡，其内部结构优化了载流子传输路径，降低了寄生电容和电阻，从而提升了高频下的电流增益和效率。在实际应用中，工程师需结合匹配网络设计以实现最大功率传输和最小反射损耗。由于其高性能特性，BLV98CE常被用于替代早期的分立式射频晶体管，在现代射频模拟前端中扮演重要角色。
类型：NPN
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：65V
集电极-基极击穿电压（VCBO）：65V
发射极-基极击穿电压（VEBO）：4V
集电极连续电流（IC）：1.5A
峰值集电极电流（ICM）：3A
功耗（Ptot）：50W
工作结温（Tj）：200°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C ~ +200°C
增益带宽积（fT）：4GHz
噪声系数（NF）：典型值1.8dB @ 1GHz
直流电流增益（hFE）：最小值50 @ IC = 100mA
封装类型：SOT-136A (BFP-3)
