型号：BLV97CE
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：42 A（在TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：168 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：14.5 mΩ（在VGS=10 V, ID=21 A时）
　　导通电阻RDS(on)：18.5 mΩ（在VGS=4.5 V, ID=20 A时）
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：3420 pF（在VDS=30 V, VGS=0 V, f=1 MHz时）
　　输出电容（Coss）：1080 pF
　　反向传输电容（Crss）：145 pF
　　总栅极电荷（Qg）：57 nC（在VDS=48 V, ID=21 A, VGS=10 V时）
　　开启延迟时间（td(on)）：13 ns
　　上升时间（tr）：38 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：32 ns
　　下降时间（tf）：22 ns
　　最大功耗（PD）：125 W（在TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DPAK (TO-252)

BLV97CE采用了ST先进的StripFET? F7工艺技术，这种平面型垂直沟槽结构显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现超低RDS(on)值，在60V额定电压下达到仅14.5mΩ（@VGS=10V），有效减少导通损耗，提升电源系统的整体效率。该工艺还优化了电荷分布和电场控制，增强了器件的dv/dt抗扰能力，减少了意外触发的风险。同时，其低栅极电荷（Qg=57nC）和米勒电容（Crss=145pF）设计使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适用于高频PWM控制场景如DC-DC降压变换器或同步整流电路。
　　该MOSFET具备出色的热性能，DPAK封装具有较低的热阻（RthJC ≈ 1.5°C/W），能够将芯片产生的热量高效传导至PCB，配合大面积敷铜设计可实现良好的散热效果，确保长时间高负载运行下的稳定性。此外，BLV97CE具有较高的雪崩能量承受能力（EAS），经过严格测试验证，能够在感性负载突然断开时吸收反向能量而不损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　器件还集成了快速体二极管，具有较低的反向恢复时间（trr）和较小的反向恢复电荷（Qrr），有助于减少交叉导通期间的能量损耗，尤其在半桥或全桥拓扑中表现优异。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更强的抗干扰性和驱动兼容性，可适配多种驱动IC。整体而言，BLV97CE在导通性能、开关速度、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是中功率开关应用的理想选择。

BLV97CE广泛应用于各种需要高效、快速开关能力的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流器部分，利用其低导通电阻降低次级侧损耗，提高能效。在DC-DC转换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是升降压（Buck-Boost）拓扑，BLV97CE均可作为主开关或同步整流开关使用，支持高达数百kHz的开关频率，满足现代电源对小型化和高功率密度的需求。
　　该器件也常用于电机驱动电路，例如在电动工具、家用电器和工业自动化设备中作为H桥或半桥结构中的功率开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速。凭借其高电流承载能力和快速响应特性，能够精确控制电机启停和转矩输出。
　　此外，BLV97CE适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、负载开关模块、热插拔电路以及逆变器中的低端开关单元。在汽车电子领域，可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块和辅助电源系统，得益于其宽工作温度范围和高可靠性，能够在严苛环境下长期稳定运行。总之，凡涉及中等电压、大电流、高频切换的应用，BLV97CE均是一个高性能且经济实用的选择。

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　　 "STP42NF60",
　　 "IRFZ44N",
　　 "FQP42N60",
　　 "IXFH42N60",
　　 "SPW42N60"
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