您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BLV45/12

BLV45/12 发布时间 时间:2025/12/27 22:04:31 查看 阅读:16

BLV45/12是一款高压硅堆(Silicon Stack Diode),主要用于将交流电转换为直流电,尤其适用于高电压、低电流的电源应用场合。该器件由多个串联的二极管芯片组成,封装在一个紧凑的绝缘外壳中,能够承受较高的反向电压并提供稳定的整流性能。BLV45/12常用于CRT显示器、电视机、复印机、静电发生器以及某些工业高压电源设备中。其命名中的“45”通常表示其峰值反向电压可达45kV,“12”可能代表其额定平均整流电流为12mA,具体参数需参考制造商的数据手册。BLV45/12采用耐高温、高绝缘性能的材料封装,具有良好的电气隔离性和长期工作稳定性,适合在恶劣环境条件下运行。由于其专用于高压领域,使用时需注意防止电晕放电和表面漏电,建议配合高压硅脂和清洁干燥的安装环境以确保可靠运行。此外,该器件不具备过压或过流保护功能,因此在实际电路设计中应额外配置相应的保护元件,如限流电阻、瞬态抑制二极管等,以延长使用寿命并提高系统安全性。

参数

类型:高压硅堆整流二极管
  峰值反向电压(PIV):45kV
  平均整流电流:12mA
  工作温度范围:-40℃ ~ +125℃
  封装形式:棒状或柱状绝缘封装
  冷却方式:自然冷却
  绝缘材料:环氧树脂或其他高绝缘性能材料
  引脚数量:2(输入交流端和输出直流端)
  介质耐压:≥50kV(测试条件典型值)
  漏电流:≤10μA(在额定电压下)
  响应时间:纳秒级(取决于内部二极管结构)

特性

BLV45/12高压硅堆的核心特性在于其独特的多级串联二极管结构,这种设计使得单个器件能够在不增加体积的前提下实现高达45kV的反向耐压能力。每个内部二极管单元都经过精确匹配,确保在高电压下各单元之间的电压分布均匀,避免局部击穿现象的发生。该器件采用高性能硅芯片制造工艺,具备优异的热稳定性和长期可靠性,在持续工作状态下仍能保持较低的反向漏电流,从而减少功率损耗和温升问题。其外部封装使用高介电强度的环氧树脂或陶瓷材料,不仅提供了出色的电气绝缘性能,还能有效抵御潮湿、灰尘和化学腐蚀的影响,适用于复杂工业环境。
  此外,BLV45/12具有良好的机械强度和抗震性能,能够在运输和安装过程中承受一定的外力冲击而不影响内部结构完整性。由于其工作于极高电压环境,产品在出厂前通常会经过严格的高压老化测试和局部放电检测,以确保每一批次产品的质量一致性。该器件对安装方式有一定要求,推荐垂直安装以利于散热和防止污染物积聚,并建议与其它高压元件保持足够的爬电距离,防止电弧发生。虽然BLV45/12不具备快速恢复特性,但其响应速度足以满足工频整流需求(如50/60Hz AC转DC),广泛应用于老式显像管设备中的阳极高压生成电路。值得注意的是,当用于高频逆变电源时,应评估其开关损耗和寄生电容带来的影响,必要时可并联阻容吸收网络来改善动态性能。整体而言,BLV45/12是一款专为极端高压场景设计的成熟可靠整流解决方案,尽管近年来部分新型固态高压模块正在逐步替代传统硅堆,但在维修市场和特定工业设备中仍具有不可替代的地位。

应用

BLV45/12主要应用于需要高电压直流输出的电子设备中,典型用途包括彩色CRT电视机和显示器的阳极高压整流电路,负责将行输出变压器产生的高压交流电转换为稳定的直流高压供给显像管阳极。此外,它也广泛用于复印机、激光打印机中的电晕充电装置,为感光鼓提供所需的高压偏置电压。在工业领域,该器件可用于静电除尘、静电喷涂、离子风机等设备的高压电源模块中,实现空气或颗粒物的电离控制。科研仪器如X射线发生器、质谱仪和粒子加速器中的预级高压电源也可能采用类似规格的硅堆进行电压倍增或直接整流。由于其具备较高的绝缘等级和环境适应性,BLV45/12还可用于户外高压检测设备或电力系统的取样电路中,作为隔离与整流元件使用。在维修老旧电子设备时,该型号常被用作替换件,尤其在缺乏原厂配件的情况下,技术人员可通过参数比对选择性能相近的替代品进行更换。然而,随着平板显示技术的普及和开关电源的小型化发展,传统高压硅堆的应用范围已逐渐缩小,更多地转向专用化、定制化的高压模块集成方案。尽管如此,在应急维修、教学演示和特殊实验电源搭建中,BLV45/12依然发挥着重要作用,是高压整流领域的重要基础元器件之一。

BLV45/12推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BLV45/12资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载