类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500 V
　　连续漏极电流（ID）：7.7 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：30.8 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.68 Ω @ VGS = 10 V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：800 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装：TO-220

BLU50 N沟道MOSFET具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势体现在低导通电阻与高击穿电压的结合上。该器件的漏源击穿电压高达500V，能够在高压应用场景下稳定运行，例如离线式开关电源和AC-DC转换系统。同时，其典型的导通电阻仅为0.68Ω，在同类器件中处于较优水平，有助于降低导通损耗，提升整体能效。这使得BLU50特别适用于需要高效能量转换的电源设计，如LED驱动电源、适配器和充电器等。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构，不仅提高了单位面积的载流能力，还显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作的可行性。
　　在开关特性方面，BLU50表现出快速的开关响应能力，其输入电容和输出电容较小，配合较低的反向恢复时间（trr = 55ns），有效抑制了体二极管的反向恢复电流失控问题，避免了在桥式或同步整流电路中产生过大的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这一特性对于提高系统可靠性和简化外围保护电路设计具有重要意义。此外，器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　从热设计角度来看，BLU50采用TO-220封装，具有较大的散热片面积，便于安装散热器以实现有效的热量传导。在自由空气环境中，其热阻（Rth j-a）约为60°C/W，若配合适当的PCB布局和散热措施，可进一步降低结温，延长器件寿命。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至+150°C，覆盖了大多数工业和消费类应用的温度要求。此外，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在长期运行中的稳定性。BLU50还符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，可用于车载电源模块等对可靠性要求较高的场合。

BLU50功率MOSFET广泛应用于各类中等功率的开关和电源转换系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关器件，用于将交流电转换为稳定的直流输出，常见于电视、显示器、路由器等消费电子产品中的电源适配器。此外，它也适用于DC-DC升压或降压转换器，在工业控制系统中为不同电压等级的模块提供稳定的供电。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的效率表现，BLU50还可用于LED照明驱动电路，特别是在高亮度LED阵列的恒流控制中发挥关键作用。
　　在电机控制领域，BLU50可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为H桥结构中的开关元件，实现电机的正反转和调速功能。其快速的开关响应能力和较低的导通压降有助于减少发热，提高驱动效率。此外，该器件也可用于逆变器系统，如太阳能微逆变器或不间断电源（UPS）中的DC-AC转换环节，承担能量切换的核心任务。在家电产品中，如洗衣机、空调风扇控制模块中，BLU50可用于负载开关或继电器替代方案，实现更安静、更可靠的控制。
　　由于其封装具备良好的机械强度和散热性能，BLU50也适合用于工业自动化设备中的电源模块、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关以及电焊机、电动工具等手持设备的功率控制单元。在汽车电子方面，虽然并非专为汽车级设计，但在非关键的辅助电源系统中仍有应用潜力。总体而言，BLU50凭借其均衡的性能指标和成熟的制造工艺，成为众多中压、中功率电力电子系统中的优选器件之一。

STP7NK50ZFP
　　STP8NK50Z
　　IRFBC40
　　FQP50N50