类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：75A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：小于5mΩ（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　功耗(Pd)：300W（最大）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

BLP075N10G在性能和可靠性方面具有多项优势。首先，其导通电阻非常低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在高温环境下依然保持良好的稳定性。该器件的快速开关特性使其适用于高频应用，降低开关损耗并提高系统响应速度。
　　BLP075N10G的封装设计有利于良好的散热性能，TO-263封装不仅提供较高的功率耗散能力，而且便于在PCB上安装和散热片连接。这使得该MOSFET在高负载条件下仍能维持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　另外，BLP075N10G具备良好的抗静电能力（ESD）和高可靠性，适用于复杂或恶劣的工作环境。其栅极驱动电压范围较宽，允许在不同电源系统中灵活使用。此外，该器件的制造工艺成熟，确保了产品的一致性和稳定性，适合批量应用。

BLP075N10G广泛应用于多种功率电子系统中。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高效的电压转换，适用于服务器电源、通信设备电源和汽车电子系统。在电机控制和电池管理系统中，BLP075N10G可以作为高效的负载开关，实现对电机或电池充放电过程的精确控制。
　　此外，BLP075N10G还适用于开关电源（SMPS）、LED驱动电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高耐压和高电流能力使其在需要高可靠性的应用中具有显著优势，例如工业控制、新能源系统和汽车电子。

Si7461DP, IPB075N10N3, BSC075N10NS5