时间：2025/6/11 14:15:21
阅读：26
BLP05N08G-P 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术（SMT）应用，能够有效减少电路板空间占用并提高散热效率。
BLP05N08G-P 的设计目标是提供高效能的功率转换解决方案，同时保持成本效益。由于其卓越的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 在消费电子、工业控制以及通信设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：13mΩ
栅极电荷：20nC
开关速度：40ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
BLP05N08G-P 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 13mΩ，从而显著降低了传导损耗。
2. 高速开关性能，栅极电荷较小（20nC），可实现快速开启与关断，降低开关损耗。
3. 支持高达 80V 的漏源电压，确保在各种电压等级的应用中具有良好的鲁棒性。
4. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境条件下的使用需求。
5. 表面贴装封装（DPAK/TO-252），简化了 PCB 设计和生产流程，并提高了散热能力。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
BLP05N08G-P 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 各类 DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
4. 工业自动化设备中的电机驱动及控制。
5. LED 照明驱动电路中的关键组件。
6. 通信设备中的信号切换和功率管理模块。
BLP05N08G, BUK9Y05-80E, IRFZ44N
