时间：2025/5/26 22:17:32
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BL9161G-30BARN是一款高效能的MOSFET晶体管，适用于多种开关和功率转换应用场景。该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛用于消费电子、工业设备及通信电源等领域的电路设计中。其低导通电阻特性有助于减少功耗并提升整体效率。
BL9161G-30BARN采用TO-252封装形式，具备出色的散热性能，能够在高频工作条件下提供稳定的表现。此外，该器件还支持快速开关操作，适合用于同步整流、DC-DC转换器以及其他高效率需求的应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
总栅极电荷：37nC
输入电容：1230pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
BL9161G-30BARN的主要特点是其超低的导通电阻，这使得在大电流应用下能够显著降低功率损耗，并提高系统效率。
此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其快速开关能力使其非常适合高频开关电源以及电机驱动等场景。
BL9161G-30BARN还拥有较高的雪崩击穿能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。同时，它的小型化表面贴装封装形式也有助于简化PCB布局并节省空间。
BL9161G-30BARN适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 同步整流电路中的主开关元件。
2. DC-DC转换器及降压/升压模块的核心功率开关。
3. 开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流或初级侧开关。
4. 电动工具、家用电器及其他便携式设备中的电机驱动控制。
5. 充电器及适配器中的功率管理单元。
6. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能实现。
BL9161G-30BARL, IRFZ44N, FDP5580
