BL8064CB3TR36是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适用于空间受限的设计场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,使其非常适合于负载开关、DC-DC转换器、电源管理以及电池供电设备等应用。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:6.7A
导通电阻(典型值):36mΩ
栅极-源极电压(开启):1.25V
栅极电荷(典型值):6nC
总功耗:490mW
工作温度范围:-55°C to 150°C
BL8064CB3TR36的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高效率;同时具备快速开关能力,能够有效降低开关损耗。
此外,其逻辑电平驱动功能允许使用较低的栅极驱动电压(如3.3V或5V),从而简化设计并节省能源。
器件的小型SOT-23封装也使得它成为便携式电子设备的理想选择,例如移动电话、平板电脑和个人媒体播放器等。
BL8064CB3TR36还具备出色的热稳定性和可靠性,适合长时间在高温环境下运行的应用。
BL8064CB3TR36广泛应用于消费类电子产品中的电源管理模块,包括但不限于:
1. 负载开关控制
2. DC-DC转换器中的同步整流
3. 电池保护电路
4. 手机和平板电脑内的电源分配
5. USB充电端口保护
6. LED驱动电路
由于其高效率和紧凑尺寸,该MOSFET同样适用于工业和汽车领域中需要高效能与小体积解决方案的场合。
BSS138
AO3400
IRLML6401