BL8064CB3TR36 时间：2025/5/29 14:53:19 阅读：17

BL8064CB3TR36是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装，适用于空间受限的设计场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，使其非常适合于负载开关、DC-DC转换器、电源管理以及电池供电设备等应用。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：6.7A
　　导通电阻（典型值）：36mΩ
　　栅极-源极电压（开启）：1.25V
　　栅极电荷（典型值）：6nC
　　总功耗：490mW
　　工作温度范围：-55°C to 150°C

特性

BL8064CB3TR36的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率；同时具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
　　此外，其逻辑电平驱动功能允许使用较低的栅极驱动电压（如3.3V或5V），从而简化设计并节省能源。
　　器件的小型SOT-23封装也使得它成为便携式电子设备的理想选择，例如移动电话、平板电脑和个人媒体播放器等。
　　BL8064CB3TR36还具备出色的热稳定性和可靠性，适合长时间在高温环境下运行的应用。

应用

BL8064CB3TR36广泛应用于消费类电子产品中的电源管理模块，包括但不限于：
　　1. 负载开关控制
　　2. DC-DC转换器中的同步整流
　　3. 电池保护电路
　　4. 手机和平板电脑内的电源分配
　　5. USB充电端口保护
　　6. LED驱动电路
　　由于其高效率和紧凑尺寸，该MOSFET同样适用于工业和汽车领域中需要高效能与小体积解决方案的场合。