时间：2025/5/7 15:00:28
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BL8064CB3TR12是一款基于硅技术制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种高效率电源转换和开关应用。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，使其在各种工业和消费类电子产品中表现出色。
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：22nC
输入电容(Ciss)：1500pF
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-220
BL8064CB3TR12具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，有助于提升系统的整体效率。
3. 优化的栅极驱动设计，降低了驱动功耗。
4. 良好的雪崩能力和抗干扰能力，确保在恶劣环境下可靠运行。
5. 高效的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
6. 广泛的工作温度范围，能够适应极端环境条件。
BL8064CB3TR12广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的高频开关。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC/DC转换器和升压转换器。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
BL8064CB3TR15, IRFZ44N, FDP5570
