BL7N60F是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,适用于广泛的开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点,适合用于高效能电源管理方案。
其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,广泛应用于电机驱动、开关电源、DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:35mΩ
栅极电荷:35nC
开关时间:ton=35ns, toff=100ns
工作温度范围:-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,能够适应高频开关应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
5. TO-220封装提供出色的散热性能,支持大功率应用。
6. 栅极阈值电压设计合理,易于与逻辑电路兼容。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关应用。
2. DC-DC转换器,如降压或升压拓扑中的功率开关。
3. 各类电机驱动控制电路,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
4. 电池保护电路和负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
IRFZ44N
STP18NF50
FDP5800