BL120N10T-3DL8 是一款基于氮化镓(GaN)技术的增强型功率场效应晶体管(e-mode GaN HEMT)。该器件适用于高频、高效能的开关电源应用,具有低导通电阻和快速开关特性。由于其先进的制造工艺,BL120N10T-3DL8 在高频率工作条件下表现出卓越的性能,非常适合于DC-DC转换器、AC-DC电源、无线充电器以及各种工业级和消费类电子设备中。
额定电压:100V
额定电流:12A
导通电阻:4.5mΩ(典型值)
栅极电荷:7nC(最大值)
输入电容:1500pF
输出电容:600pF
开关速度:纳秒级
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
BL120N10T-3DL8 的主要特点是采用了增强型氮化镓技术,这种材料相比传统的硅基MOSFET具有更低的寄生电感和电容,从而提高了开关效率和功率密度。
此外,该器件还具备以下优势:
1. 高效的热管理能力,能够在高温环境下保持稳定的性能。
2. 快速的开关速度,有效降低开关损耗。
3. 小巧的封装设计,有助于减少整体电路板面积。
4. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性。
这些特点使得BL120N10T-3DL8 成为现代电力电子系统中的理想选择。
BL120N10T-3DL8 广泛应用于高频功率转换场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. AC-DC适配器
4. 无线充电模块
5. LED驱动器
6. 汽车电子系统
7. 工业电机驱动
其高性能表现使其在需要紧凑型设计和高效率的应用中备受青睐。
BL120N10T-3DL7
BL120N10T-3DL9
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