时间：2025/6/5 19:16:51
阅读：17
BL120N10T-3DL8 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率场效应晶体管（e-mode GaN HEMT）。该器件适用于高频、高效能的开关电源应用，具有低导通电阻和快速开关特性。由于其先进的制造工艺，BL120N10T-3DL8 在高频率工作条件下表现出卓越的性能，非常适合于DC-DC转换器、AC-DC电源、无线充电器以及各种工业级和消费类电子设备中。
额定电压：100V
额定电流：12A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：7nC（最大值）
输入电容：1500pF
输出电容：600pF
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BL120N10T-3DL8 的主要特点是采用了增强型氮化镓技术，这种材料相比传统的硅基MOSFET具有更低的寄生电感和电容，从而提高了开关效率和功率密度。
此外，该器件还具备以下优势：
1. 高效的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定的性能。
2. 快速的开关速度，有效降低开关损耗。
3. 小巧的封装设计，有助于减少整体电路板面积。
4. 内置ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性。
这些特点使得BL120N10T-3DL8 成为现代电力电子系统中的理想选择。
BL120N10T-3DL8 广泛应用于高频功率转换场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. AC-DC适配器
4. 无线充电模块
5. LED驱动器
6. 汽车电子系统
7. 工业电机驱动
其高性能表现使其在需要紧凑型设计和高效率的应用中备受青睐。
BL120N10T-3DL7
BL120N10T-3DL9
GAN042-650WSA
