时间：2025/5/22 15:23:53
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BL-HG836G-TRB是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率、低功耗的电源管理场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。其设计旨在满足消费电子、工业控制以及通信设备中对高效能转换的需求。
该器件支持大电流操作，同时具备强大的热稳定性，适用于各种严苛的工作环境。通过优化的封装技术，BL-HG836G-TRB能够实现更紧凑的设计，并提升整体系统的可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.2mΩ（典型值）
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
BL-HG836G-TRB的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 强大的过流保护能力，有效防止异常情况下的损坏。
4. 优秀的热性能表现，确保在高温环境下稳定运行。
5. 小型化封装设计，便于集成到空间受限的应用中。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特性使得BL-HG836G-TRB成为众多电力电子应用的理想选择。
BL-HG836G-TRB广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)。
5. 光伏逆变器的关键功率转换组件。
6. 数据中心服务器的供电模块。
其卓越的性能和可靠性为各类复杂应用场景提供了坚实保障。
BL-HG836G-TRA, IRF840, FDP5500
