尺寸（英制）：0805
　　尺寸（公制）：2012
　　电容值：470pF
　　电容值代码：471
　　容差：±10%
　　额定电压：25V DC
　　介质材料：Class II, X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 R × C ≥ 500 Ω·F
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30/37标准
　　可焊性：符合IEC 60068-2-20方法2B
　　抗热冲击能力：符合EIA-198-1-F标准
　　包装形式：编带卷装，8mm载带
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni-Sn）

BK32164M471-T所采用的X7R型介电材料是一种钙钛矿结构的铁电陶瓷体系，具备较高的介电常数和相对稳定的温度响应特性，能够在-55°C至+125°C宽温范围内保持电容变化率不超过±15%，适用于对稳定性有一定要求但不苛求精密级别的应用场景。该材料通过掺杂改性技术优化了晶界特性，显著降低了老化速率和电压系数的影响，从而提高了长期使用的可靠性。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，将多个陶瓷介质层与内电极交替印刷并高温共烧成型，形成一个整体结构紧凑的多层电容器。这种结构不仅提升了单位体积下的有效电容密度，还大幅降低了等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能保持较低的阻抗特性，有利于提高去耦效率和噪声滤除能力。
　　BK32164M471-T具备优异的机械强度和抗弯曲性能，其端电极经过特殊设计，包含铜镍阻挡层和锡镀层，既能防止银离子迁移，又能确保良好的可焊性和焊接牢固度。此外，该产品通过严格的湿度敏感等级测试（MSL 1），可在标准SMT回流焊条件下反复加热而不损伤内部结构。
　　在可靠性方面，该电容器经过加速寿命试验验证，在额定电压和高温环境下（如85°C/85%RH偏压测试）表现出低失效率和稳定的电参数保持能力。同时，产品符合AEC-Q200部分应力测试条件，适用于非车规但要求较高稳定性的工业级应用环境。其低损耗因子（tanδ ≤ 2.5%）也保证了在交流信号路径中的能量损失较小，有助于提升系统能效。

BK32164M471-T因其良好的频率响应、适中的电容值和可靠的温度特性，常用于多种模拟与数字混合电路中。在电源管理单元中，它可作为局部去耦电容，安装于IC电源引脚附近，用以滤除高频开关噪声，稳定供电电压，尤其适用于DC-DC转换器、LDO稳压器输出端的滤波网络。
　　在信号处理电路中，该电容器可用于构建RC低通或高通滤波器，实现特定频段的信号选择或干扰抑制。例如，在音频放大器输入级或ADC/DAC参考电压缓冲电路中，起到隔直通交或抑制振荡的作用。
　　此外，BK32164M471-T也常见于时钟振荡器电路中，配合晶体或谐振器完成负载匹配，确保振荡频率的稳定性。在射频前端模块中，可用于阻抗匹配网络或耦合电路，发挥其高频性能优势。
　　由于其符合RoHS指令且支持自动贴片工艺，该型号广泛应用于智能手机、平板电脑、智能家居设备、物联网终端、工业传感器、医疗电子设备等领域。对于需要批量生产和长期供货保障的设计项目而言，BK32164M471-T是一个性价比高且供货稳定的常用MLCC选型方案。