BI25-18P 时间：2025/8/22 17:06:01 阅读：3

BI25-18P 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。这款晶体管设计用于在高电流和高频率条件下提供优异的性能，适用于多种工业和消费电子设备。BI25-18P 通常采用 TO-220 或 D2PAK 封装形式，确保良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：25A
　　最大漏-源电压 (Vds)：180V
　　最大栅-源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.065Ω @ Vgs = 10V
　　最大功耗 (Ptot)：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

BI25-18P 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力，适合用于各种功率控制和开关应用。该器件的导通电阻非常低，仅为 0.065Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。同时，其最大漏极电流为 25A，能够在较高负载条件下保持稳定运行。BI25-18P 的最大漏-源电压为 180V，使其适用于中高压应用，例如电源转换器、电机驱动器和电池管理系统。
　　该器件的封装设计（如 TO-220 或 D2PAK）提供了良好的散热性能，确保在高温环境下依然可以可靠运行。此外，BI25-18P 的栅极驱动电压范围较宽，最大栅-源电压为 ±20V，这使其能够兼容多种驱动电路设计，提高了灵活性。由于其高耐压和高电流能力，该 MOSFET 在开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及工业自动化设备中得到广泛应用。
　　在可靠性方面，BI25-18P 具有良好的热稳定性和抗静电能力，符合工业标准的可靠性要求。这使得该器件能够在恶劣的工作环境中保持长期稳定性。此外，其快速开关特性也有助于提高系统效率，特别是在高频开关应用中，减少开关损耗是关键。因此，BI25-18P 不仅适用于传统的功率管理应用，也适用于需要高效率和快速响应的现代电子系统。