BH3548F-E2 时间：2025/11/7 23:44:10 阅读：6

BH3548F-E2是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适用于需要高效能与紧凑设计的电子设备。其封装形式为SOP-8（表面贴装小型封装），便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。BH3548F-E2的工作电压等级适中，适合用于电池供电系统、便携式设备电源模块、LED驱动电路及负载开关等应用场景。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代工业和消费类电子产品对环境友好型元器件的需求。器件内部结构经过优化，能够有效降低开关损耗和传导损耗，从而提升整体系统效率。同时，其栅极耐压能力较强，可兼容常见的逻辑电平驱动信号，简化了驱动电路的设计难度。

参数

型号：BH3548F-E2
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOP-8
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：17A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：70A
　　导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ @ VGS=10V, 8.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到外壳(RθJC)：2.0°C/W
　　热阻结到环境(RθJA)：50°C/W
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：490pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：23nC @ VGS=10V
　　上升时间(tr)：15ns
　　下降时间(tf)：12ns

特性

BH3548F-E2采用罗姆专有的Trench MOSFET工艺制造，这种先进的制程技术使得器件能够在保持小尺寸的同时实现极低的导通电阻，显著降低在大电流应用中的功率损耗。其典型的RDS(on)仅为6.5mΩ（在VGS=10V条件下），这使其非常适合用于高效率的同步整流电路或作为主开关管在降压型DC-DC转换器中使用。由于导通损耗的减少，系统的整体温升得以控制，有助于提高长期运行的可靠性并延长设备寿命。该器件还具备出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg=23nC）和反向传输电容（Crss=100pF），这意味着它可以在高频下快速开启和关断，从而减小开关过程中的能量损失，特别适用于工作频率较高的电源拓扑结构如PWM控制器搭配使用的场景。
　　此外，BH3548F-E2的热性能表现优异，其结到外壳的热阻仅为2.0°C/W，配合适当的PCB散热设计（如大面积铜箔铺垫或多层接地层），可以有效将工作时产生的热量迅速导出，避免因过热导致的性能下降或损坏。器件支持高达17A的连续漏极电流（在25°C环境下），即使在较高环境温度下也能稳定工作，展现出良好的电流承载能力和热稳定性。SOP-8封装不仅节省空间，而且引脚排列合理，便于自动化贴片生产，提升了制造效率。该MOSFET还具有较强的抗静电能力（ESD保护）和栅氧化层耐久性，确保在实际装配和使用过程中不易被击穿。综合来看，BH3548F-E2是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、体积和散热有严格要求的应用场合。

应用

BH3548F-E2广泛应用于多种电源管理和功率控制场景中。常见用途包括但不限于：便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源模块；电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制，利用其低导通电阻来减少能量损耗，延长电池续航时间；LED背光驱动电路中作为电流调节开关，提供稳定的亮度输出；在电机驱动电路中用作H桥结构的一部分，实现正反转控制；还可用于USB电源开关、热插拔控制器、负载开关模块以及各类工业控制设备的电源部分。由于其具备良好的高频响应特性和较小的寄生参数，该器件也适合用于高频率开关电源设计，如多相VRM（电压调节模块）或POL（点负载）转换器。此外，在通信设备、网络路由器、服务器电源单元等对效率和稳定性要求较高的领域，BH3548F-E2同样表现出色。其表面贴装封装形式使其易于集成于高密度印刷电路板上，适应现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。凭借其优异的电气性能和可靠的封装工艺，BH3548F-E2已成为许多中等功率开关应用中的首选MOSFET之一。