时间：2025/4/29 10:32:28
阅读：1
BH28FB1WG-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合用于消费电子、工业设备和汽车电子等领域的电源管理电路。
这款 MOSFET 为 N 沟道增强型器件，其封装形式为 SOT-23，这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计场景。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：2.9A
导通电阻(RDS(on))：55mΩ (典型值，VGS=10V)
栅极电荷(Qg)：4nC (典型值)
总功耗(PD)：410mW
工作结温范围(TJ)：-55℃至+150℃
BH28FB1WG-TR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
3. 高静电防护能力（ESD），提升了器件的可靠性。
4. 紧凑的 SOT-23 封装，节省了 PCB 布局空间。
5. 广泛的工作温度范围，适用于各种环境条件下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
BH28FB1WG-TR 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池保护和充电管理电路。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 工业控制和电机驱动中的功率开关。
5. 汽车电子系统的电源管理和信号切换。
6. 便携式设备中的高效能功率管理方案。
AO3400A
IRLML6402
FDMC880P
BSS138
