时间：2025/5/20 13:59:25
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BH25NB1WHFV-TR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于高频和高效率的功率转换场景。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和较低的导通电阻，适用于工业、通信和消费类电子产品中的多种应用场景。
型号：BH25NB1WHFV-TR
类型：GaN HEMT
工作电压：650 V
额定电流：25 A
导通电阻：40 mΩ
栅极电荷：80 nC
反向恢复时间：小于50 ns
封装形式：TO-247-4L
BH25NB1WHFV-TR 具备以下主要特性：
1. 高效的功率转换能力，得益于其低导通电阻和快速开关速度。
2. 采用氮化镓材料，相比传统硅基器件具有更高的工作频率和更低的能量损耗。
3. 内置优化的栅极驱动设计，减少了对外部电路的需求，简化了系统设计。
4. 支持硬开关和软开关拓扑，适应性更强。
5. 提供强大的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
BH25NB1WHFV-TR 主要应用于以下领域：
1. 高频DC-DC转换器
2. 服务器电源和电信电源
3. 太阳能逆变器
4. 电动车辆（EV）车载充电器
5. 快速充电适配器
6. 工业电机驱动控制
7. 无线充电设备
由于其高效性和高频性能，这款器件非常适合需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景。
BSC018N06NSG
GAN042-650WSA
IRGB4062DPBF
