时间:2025/11/8 7:53:02
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BH25MA3WHFV是罗姆半导体(ROHM Semiconductor)推出的一款高效、低静态电流的同步降压型DC-DC转换器IC,专为电池供电设备和需要高能效电源管理的应用而设计。该芯片采用紧凑型封装,适用于空间受限的便携式电子产品,如可穿戴设备、物联网终端、移动医疗设备以及智能家居传感器等。BH25MA3WHFV能够在宽输入电压范围内稳定工作,支持将较高的直流电压降至适合微处理器、传感器或无线模块使用的较低电压等级,同时保持出色的负载调整率和线路调整率。
该器件集成了功率MOSFET,无需外置续流二极管,简化了外围电路设计,提高了系统可靠性并减少了整体占板面积。其工作模式可根据负载情况自动切换,在重载时进入PWM(脉宽调制)模式以确保高效率,在轻载或待机状态下则转入PFM(脉频调制)模式,显著降低静态电流消耗,从而延长电池使用寿命。此外,BH25MA3WHFV具备多种保护功能,包括过流保护、热关断和软启动机制,提升了系统的安全性和稳定性。
类型:同步整流降压DC-DC转换器
拓扑结构:Buck(降压)
输入电压范围:2.7V ~ 5.5V
输出电压范围:0.8V ~ 3.6V(可调)
最大输出电流:300mA
静态电流:约28μA(典型值)
工作频率:1.2MHz(典型值)
控制方式:电流模式控制
反馈参考电压:0.6V ±1%
封装形式:DFN10(2.5×2.0)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
保护功能:过流保护、热关断、软启动
调节类型:外部电阻可调
是否集成FET:是
BH25MA3WHFV具备优异的动态响应能力与高效率电源转换性能,能够在输入电压波动或负载突变的情况下快速稳定输出电压,确保后级敏感电路正常运行。其采用的电流模式控制架构不仅提升了环路稳定性,还便于进行频率补偿设计,使工程师能够更灵活地优化瞬态响应表现。芯片内置的高边和低边功率MOSFET显著降低了导通损耗,并省去了传统异步整流方案中的肖特基二极管,从而避免了二极管反向恢复带来的能量损失和电磁干扰问题,进一步提升整体效率。
该器件在轻载条件下的超低静态电流特性尤为突出,典型值仅为28μA,使其非常适合长期处于待机或间歇工作状态的低功耗应用。结合PFM/PWM自动切换功能,BH25MA3WHFV在整个负载范围内均能维持较高的转换效率,尤其在微安级负载下仍能有效节能。此外,高达1.2MHz的开关频率允许使用小型电感和陶瓷电容构成滤波网络,极大缩小电源模块的物理尺寸,满足现代便携式电子设备对小型化和高密度布局的需求。
BH25MA3WHFV还具备良好的热管理能力,DFN10封装具有较低的热阻特性,配合内部热关断保护机制,可在环境温度升高或持续过载时自动切断输出,防止芯片损坏。其精确的反馈参考电压(0.6V±1%)支持通过外部电阻分压器实现精细的输出电压设定,适应不同负载的供电需求。整个设计无需外部补偿元件即可实现稳定工作,降低了设计复杂度,缩短了产品开发周期。
BH25MA3WHFV广泛应用于各类对空间和功耗敏感的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手表、健身追踪器、TWS耳机等可穿戴设备中的核心电源管理单元,用于为MCU、传感器或蓝牙模块提供稳定的低压供电。在物联网节点和无线传感器网络中,该芯片因其低静态电流和高效率特性,成为电池长期供电的理想选择,有助于延长设备维护周期和部署寿命。
此外,它也适用于工业手持终端、电子标签、医疗监测贴片、智能家居传感器(如温湿度、 motion sensor)以及小型POS机等嵌入式系统。在这些应用中,BH25MA3WHFV不仅能高效地将锂电池电压(如3.7V)降至所需的1.8V、2.5V或3.3V,还能在设备休眠时最大限度减少能耗。由于其出色的噪声抑制能力和较小的输出纹波,也可用于为模拟前端、ADC基准源或低噪声放大器供电,保障信号链的精度与稳定性。
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