时间：2025/12/25 10:26:09
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BH2220FVM-TR是一款由罗姆（ROHM）公司推出的集成式霍尔效应传感器IC，专为高精度、高可靠性的位置检测和速度传感应用而设计。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗、高灵敏度和良好的温度稳定性等特点，适用于各种工业控制、消费电子以及汽车电子系统中的非接触式感应需求。BH2220FVM-TR属于开关型霍尔传感器，能够在磁场变化时输出数字信号，从而实现对旋转部件、移动物体或开关状态的精确检测。其封装形式为超小型表面贴装VMT4（SOT-553），非常适合空间受限的应用场景。该芯片内置电压调节电路，支持宽电源电压范围输入，并具有反向电压保护功能，增强了系统的鲁棒性。此外，内部集成了信号放大器、施密特触发整形电路和输出驱动晶体管，简化了外部电路设计，降低了整体系统成本。由于其高度集成化和优良的EMI抗干扰能力，BH2220FVM-TR广泛应用于便携式设备、白色家电、打印机、电动工具及电机换向检测等领域。
类型：霍尔效应开关
供电电压：2.5V 至 5.5V
工作电流：典型值 4.5mA（连续工作模式）
输出方式：开漏N-channel MOSFET
磁感应强度（Bop）：典型值 3.5mT（南北极均响应）
释放点（Brp）：典型值 1.8mT
回差（Bhys）：典型值 1.7mT
响应时间：典型值 1μs
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：VMT4 (SOT-553)
安装方式：表面贴装
ESD耐压：±4kV（HBM）
灵敏度方向：垂直于封装面
待机电流：约 0.1μA（自动省电模式下）
BH2220FVM-TR具备出色的灵敏度与稳定性，采用CMOS工艺实现低功耗运行，适合电池供电设备长期使用。其内置稳压电路允许在2.5V至5.5V宽电压范围内稳定工作，适应多种电源环境，同时具备反向电压保护功能，防止因接线错误导致芯片损坏，提升系统可靠性。该传感器采用数字输出方式，输出为开漏结构，便于与各种微控制器接口匹配，并可通过外接上拉电阻连接到不同逻辑电平系统，兼容性强。器件内部集成高增益霍尔元件、信号放大器、温度补偿电路及施密特触发器，确保在温度变化或电源波动条件下仍能保持一致的动作点与释放点，避免误触发。高达±4kV的ESD防护能力使其在生产装配和实际应用中具有更强的抗静电冲击性能。超小型SOT-553封装显著节省PCB空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备等紧凑型电子产品的位置检测。响应速度快，典型响应时间仅为1微秒，能够满足高速旋转检测需求，如风扇转速监测或编码器应用。自动节能模式可在无磁场变化时降低功耗，延长电池寿命。全极性识别设计使其对磁铁的南极和北极均可响应，简化了磁路设计和装配流程。整体设计注重电磁兼容性，抗干扰能力强，在复杂电磁环境中依然稳定工作。
广泛用于各类需要非接触式位置或速度检测的场合，例如笔记本电脑和移动设备中的翻盖检测（智能休眠唤醒）、打印机墨盒检测、家用电器门盖开关感应（如洗衣机、微波炉）、电机转子位置检测、电动自行车速度传感、流量计脉冲采样、工业自动化限位开关以及各类编码器模块。由于其小尺寸和高可靠性，也常被应用于医疗设备、安防系统和物联网终端中进行状态监控。在汽车电子领域可用于检测座椅位置、手套箱开关或小型执行机构的状态反馈。其低功耗特性使其成为便携式和无线传感节点的理想选择，尤其适合部署在难以更换电池的环境中持续运行。
SS41FVT4
