时间：2025/10/11 8:16:13
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BH07B-XARK-BN(LF)(SN) 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款低功耗、高精度的霍尔效应传感器IC，主要用于非接触式位置检测和转速测量应用。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备优秀的磁感应灵敏度和温度稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能表现。BH07B-XARK-BN(LF)(SN) 属于开关型霍尔传感器，当外加磁场强度超过预设的磁感应阈值时，输出引脚会相应地切换高低电平状态，实现对机械运动的电气信号转换。该器件采用小型化SOT-23封装（或等效超小型封装），非常适合对空间要求严苛的便携式电子设备和工业控制系统。其“-LF”后缀表示产品符合无铅（Lead-Free）环保标准，“(SN)”通常代表卷带包装形式，适用于自动化贴片生产线。该传感器具有内置的反向电压保护、输出短路保护和静电放电（ESD）防护功能，增强了在复杂电磁环境下的可靠性和耐用性。由于其高集成度和低外围元件需求，BH07B-XARK-BN(LF)(SN) 可以简化系统设计，降低整体BOM成本，并提升系统的长期稳定性。
型号：BH07B-XARK-BN(LF)(SN)
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：SOT-23
工作电压范围：2.5V 至 5.5V
工作电流：典型值 4.5μA（待机模式）
输出类型：开漏输出（Open-Drain）
磁感应阈值（Bop）：典型值 3.5mT
释放阈值（Brp）：典型值 2.5mT
回差磁场（Bhys）：典型值 1.0mT
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
响应时间：典型值 1.5μs
极性敏感性：南极为有效触发方向
ESD耐压：±4kV（HBM）
BH07B-XARK-BN(LF)(SN) 采用先进的CMOS霍尔技术，具备卓越的磁传感精度与低功耗特性，适用于电池供电或对能耗敏感的应用场景。其静态工作电流低至几微安级别，显著延长了便携设备的电池寿命。该器件内部集成了电压调节器、霍尔感应元件、信号放大器、施密特触发整形电路以及开漏输出驱动模块，实现了完整的信号处理链，无需外部偏置电阻或滤波电容即可稳定工作。施密特触发器设计提供了适当的磁滞（Bhys），有效防止在磁阈值附近因微小磁场波动导致的输出抖动，确保开关动作的干净利落。
该传感器对南向磁场敏感，当磁南极靠近感应面时，器件导通输出低电平；磁场撤去并低于释放点后，输出恢复为高阻态（需外部上拉电阻）。这种单极工作模式简化了磁路设计，适用于旋转编码器、门限检测、电机换向等典型应用。器件具备出色的温度补偿能力，在-40°C至+125°C的宽温范围内，磁感应阈值漂移极小，保证系统在极端环境下的可靠性。
封装方面，SOT-23小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，适合大规模生产。同时，芯片内置反向电源连接保护功能，避免因安装错误导致器件损坏，提升了现场使用的鲁棒性。此外，其高达±4kV的人体模型ESD防护能力，使其能够在工业环境中抵御常见静电干扰，减少现场故障率。整体而言，BH07B-XARK-BN(LF)(SN) 凭借高集成度、低功耗、高可靠性等优势，成为现代智能感知系统中的理想选择。
BH07B-XARK-BN(LF)(SN) 广泛应用于各类需要非接触位置检测的电子系统中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的翻盖/滑盖检测，通过检测内置磁铁的位置来控制屏幕的亮灭。在白色家电领域，可用于洗衣机门盖状态监测、微波炉联锁开关等安全控制功能。工业自动化中，该器件常用于旋转编码器、流量计、电机转速检测（如风扇、泵类设备）以及接近开关模块。在汽车电子方面，可应用于座椅位置检测、油箱盖状态识别、变速杆位置感应等车身控制单元。此外，由于其微型封装和低功耗特性，也适合用于可穿戴设备中的运动状态感知模块。其高抗干扰能力和长期稳定性使其在户外设备、智能家居传感器节点以及物联网终端中表现出色。
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"BH07B-XARKC-LB",
"SS41F-MUR, SOT-23",
"OH3144EUA",
"ME58L"
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