类型：双极型射频功率晶体管
　　制造商：NXP Semiconductors
　　型号：BGY916/5,127
　　封装类型：TO-220AB
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：7.5 A
　　最大耗散功率（PD）：150 W
　　工作频率范围：174 MHz 至 250 MHz
　　增益（Gp）：约14 dB（典型值）
　　输出功率（Pout）：约50 W（典型值）
　　输入阻抗：约7.5 Ω
　　输出阻抗：约50 Ω
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

BGY916/5,127 的主要特性包括高输出功率、良好的热稳定性和出色的线性放大能力。该器件在UHF（超高频）范围内表现出优异的放大性能，适用于高要求的广播和通信系统。其TO-220AB封装形式有助于有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该晶体管具有较低的输入驻波比（VSWR），确保与前级电路的良好匹配，并提供稳定的增益和输出功率。此外，该器件具有较高的效率，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
　　为了增强其适用性，BGY916/5,127 在设计上优化了输入/输出阻抗匹配，减少了外部匹配网络的复杂性，从而简化了射频放大器的设计和实现。此外，该晶体管在高频下表现出较低的失真，适合用于高保真度信号传输应用。
　　该器件还具备良好的抗过载能力，在高功率输出条件下仍能维持稳定运行，降低了因负载不匹配或突发信号变化而导致的故障风险。因此，它在广播发射机、调频发射系统和射频测试设备中得到广泛应用。

BGY916/5,127 主要用于需要高功率射频放大的专业通信设备和广播系统中。例如，它被广泛应用于UHF电视发射机、调频广播发射机、无线基础设施中的射频功率放大器模块，以及射频测试和测量设备中的功率放大单元。由于其优异的线性度和稳定性，该晶体管也适用于需要高保真信号放大的专业应用。此外，该器件在无线通信基站、射频加热设备、工业射频能量应用中也有一定的应用潜力。

BGY916/11,127