型号：BGY504
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：4A（连续）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 4V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：≤2.0Ω @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：典型值600pF
　　输出电容（Coss）：典型值120pF
　　反向恢复时间（trr）：110ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (D-PAK)
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：50W（带散热条件）

BGY504采用了优化的沟槽式场效应晶体管结构，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升整体能效表现。其核心优势之一是具备较低的RDS(on)，这使得在相同工作条件下，器件的导通损耗显著减少，有助于提高电源系统的整体效率。尤其是在DC-DC变换器或开关电源中，这种低损耗特性可以有效降低温升，延长系统寿命。
　　该器件具有较高的击穿电压（500V），可安全应用于多种高压开关场合，例如离线式AC-DC电源适配器、LED驱动电源及光伏逆变器等。同时，其栅极阈值电压处于合理范围内（3~4V），既保证了与常见逻辑电平（如5V或3.3V驱动信号）的良好兼容性，又避免了因过低阈值导致的误触发风险。对于数字控制器或PWM驱动芯片而言，可以直接驱动而无需额外的电平转换电路，简化了外围设计。
　　在动态性能方面，BGY504表现出优异的开关特性。其输入电容和输出电容较小，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较少，有利于降低驱动电路的设计复杂度并减少开关过程中的能量损耗。此外，较短的反向恢复时间（trr=110ns）使其在硬开关拓扑中表现出更少的开关应力和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。
　　热稳定性也是BGY504的重要特性之一。得益于TO-252封装良好的热传导能力，配合适当的PCB布局和散热措施，器件可以在较高环境温度下稳定运行。其最大结温可达150°C，并设有足够的安全裕量，确保长期工作的稳定性。同时，器件内部集成了体二极管，可在感性负载关断时提供续流路径，进一步增强了在电机驱动或继电器控制等应用中的适用性。

BGY504主要用于各类中等功率的开关电源系统中，特别是在需要高耐压和较高效率的场景下表现突出。典型应用包括但不限于：离线式AC-DC开关电源，用于家电、显示器、路由器等消费类电子产品的内置电源模块；在这些系统中，BGY504常作为主开关管使用，承担能量传递的核心任务，其低导通电阻和高击穿电压保障了系统的高效与安全。
　　在LED照明驱动电源领域，BGY504可用于隔离式反激（Flyback）或非隔离式降压（Buck）拓扑结构中，实现恒流输出控制。由于LED灯具对能效和散热有较高要求，BGY504的低损耗特性正好满足这一需求，有助于提升整灯光效并延长使用寿命。
　　此外，该器件也适用于工业控制设备中的电机驱动、电磁阀控制和继电器驱动等功率开关场合。在这些应用中，BGY504不仅能够承受瞬态高压冲击，还能通过快速开关响应实现精确的时序控制。
　　在新能源领域，如小型光伏发电系统的逆变器或充电控制器中，BGY504也可作为直流侧开关元件参与能量调节。其稳定的高温工作性能和较强的抗浪涌能力使其在户外恶劣环境中依然保持可靠运行。
　　由于其封装形式为TO-252，易于手工焊接或SMT贴片生产，因此也广泛用于中小批量生产和原型开发项目中，成为工程师在选型时优先考虑的国产MOSFET之一。

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　　 "STP4NK50Z",
　　 "2SK2649",
　　 "FQP5N50C",
　　 "KIA5N50",
　　 "APT5N50B"
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