类型：射频低噪声放大器
　　工艺技术：SiGe:C
　　工作频率范围：170 MHz 至 2.7 GHz
　　增益：约 20 dB（典型值，f = 900 MHz）
　　噪声系数：约 0.85 dB（典型值，f = 900 MHz）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：约 +10 dBm（典型值）
　　工作电压范围：2.7 V 至 5.5 V
　　静态电流：约 14 mA（典型值）
　　输出1dB压缩点（OP1dB）：约 +6 dBm
　　封装形式：SOT343（SC-70）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

BGF802-20具备卓越的射频性能与稳定性，能够在宽频率范围内保持高增益和极低的噪声系数，使其成为多模多频无线接收系统的理想选择。其核心优势之一是采用了SiGe:C异质结双极晶体管技术，该技术不仅提升了高频响应能力，还显著降低了器件本身的热噪声，从而实现了低于1dB的噪声系数，在微弱信号接收场景下极大增强了系统灵敏度。
　　该器件内置了自动偏置电路，无需外部复杂偏置网络即可实现稳定的工作点设置，这大大简化了外围电路设计，并减少了元件数量，有助于降低整体成本和PCB面积占用。同时，这种集成式偏置结构对温度变化不敏感，保证了在-40°C至+125°C宽温环境下增益和电流的稳定性，避免因环境波动导致性能下降。
　　BGF802-20具有良好的输入匹配特性，通常只需少量外部元件即可完成50欧姆阻抗匹配，进一步提升了设计灵活性。其高线性度表现（IIP3达+10dBm以上）有效抑制了强干扰信号下的非线性失真，提高了抗干扰能力和动态范围，适用于存在多载波或邻道干扰的复杂电磁环境。
　　该LNA还具备出色的ESD保护能力，引脚可承受一定级别的静电放电冲击，增强了生产装配过程中的可靠性。SOT343小型封装不仅节省空间，而且兼容标准贴片工艺，适合自动化批量生产。总体而言，BGF802-20凭借其高性能、易用性和可靠性，广泛应用于各类便携式和固定式无线终端设备中。

BGF802-20主要应用于各类需要高性能接收链路的无线通信系统。典型应用场景包括蜂窝基础设施中的远程无线电头端（RRH）、小型基站（Small Cell）以及中继器等设备，用于增强上行链路的信号捕获能力。在移动终端方面，它可用于工业级物联网模块、M2M通信设备、车联网（V2X）终端以及智能计量（如远程抄表系统）等产品中，提升远距离通信的稳定性和覆盖范围。
　　此外，该器件也适用于数字电视接收（DVB-T/H）、卫星导航前置放大（如GPS/GLONASS LNA前端）、无线音频传输系统以及软件定义无线电（SDR）平台等宽带接收应用。由于其宽频带特性，BGF802-20可在多个频段内共用设计，支持全球多种通信标准，有利于产品标准化和国际化部署。在测试测量仪器领域，如便携式频谱分析仪或场强检测设备中，该LNA也可作为前端放大单元以提高仪器灵敏度。

BGA2803,BGA2804,BGP280