类型：NPN SiGe:C 射频晶体管
　　集电极-发射极击穿电压 (VCEO)：6 V
　　集电极电流 (IC)：最大 30 mA
　　直流电流增益 (hFE)：典型值 120 - 240（测试条件 IC = 1 mA）
　　特征频率 (fT)：高达 67 GHz
　　噪声系数 (NF)：典型值 0.9 dB @ 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA
　　功率耗散 (Ptot)：最大 150 mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-343 或类似小型表面贴装封装

BGE67BO的核心优势在于其基于硅锗碳化物（SiGe:C）的异质结双极晶体管（HBT）结构，这种材料体系显著提升了载流子迁移率并抑制了基区寄生效应，从而在极高频率下仍能维持出色的增益和低噪声性能。该器件的特征频率高达67GHz，意味着它非常适合应用于X波段、Ku波段甚至更高频段的射频与微波系统中。在典型的2GHz操作条件下，其噪声系数可低至0.9dB，这使得BGE67BO特别适用于低噪声放大器（LNA）的设计，能够有效提升接收链路的信噪比。此外，由于SiGe:C工艺具有良好的温度稳定性，该晶体管在宽温度范围内均能保持稳定的电气特性，适合部署于环境条件严苛的应用场景。
　　BGE67BO还具备良好的线性度和较高的输出三阶交调截点（OIP3），有助于减少非线性失真，确保信号传输质量，尤其在多载波或宽带通信系统中表现优异。其小型化的SOT-343封装不仅节省PCB空间，而且通过优化引脚布局降低了寄生电感和电容，有利于实现宽带阻抗匹配。同时，该封装具备良好的散热性能，可在连续工作状态下有效传导热量，避免因温升导致性能下降。BGE67BO无需外部偏置电路即可在低压（如3V~5V）供电下正常运行，因此非常适合便携式或低功耗射频设备。制造商通常提供详细的SPICE模型和S参数数据，方便工程师进行仿真和电路设计，缩短产品开发周期。整体而言，BGE67BO结合了高频性能、低噪声、小尺寸和易用性，是现代高性能射频系统中不可或缺的关键元件之一。

BGE67BO广泛应用于高频模拟和射频电路中，特别是在需要低噪声放大的前端设计中发挥重要作用。典型应用场景包括蜂窝通信基础设施中的低噪声放大器（LNA），用于增强来自天线的微弱信号，提高接收灵敏度；在点对点和点对多点微波回传系统中，作为射频放大级以补偿传输损耗；在宽带无线接入系统如WiMAX或5G毫米波前传网络中，用于构建高性能的射频收发模块。此外，该器件也适用于测试与测量仪器中的高频信号调理电路，例如频谱分析仪或信号发生器内部的前置放大器。由于其优良的高频响应和稳定性，BGE67BO还可用于雷达传感器前端，尤其是在汽车雷达或工业测距系统中处理GHz级别的回波信号。在卫星通信终端设备中，该晶体管可用于上变频或下变频路径中的本振缓冲放大器或混频器驱动级。对于研发实验室和教育机构而言，BGE67BO因其易于获取、使用简便且性能明确，常被选作高频电路教学实验平台的核心元件。总之，凡是涉及2GHz以上频率、要求低噪声和高增益的模拟信号放大任务，BGE67BO都是一种极具竞争力的技术选择。

BFP740F, BFG67, MMBTH101