制造商：Skyworks Solutions, Inc.
　　产品类型：射频晶体管 - BJT
　　技术：硅锗碳化物 (SiGe:C)
　　工作频率范围：最高可达6 GHz
　　增益：典型值20 dB（具体取决于频率和偏置条件）
　　噪声系数：典型值1.2 dB（在2 GHz下）
　　输出功率：最大P1dB输出功率约为20 dBm
　　偏置电压：推荐Vce = 3 V
　　集电极电流：Ic = 40 mA（典型工作条件）
　　封装类型：SOT-343 (SC-89)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：4
　　连续性：EIA-96电阻代码兼容偏置设置
　　匹配状态：内部匹配输入/输出（部分频段）

BGB112射频晶体管的核心优势在于其基于硅锗碳化物（SiGe:C）工艺的先进半导体技术，这种材料体系结合了硅的低成本与锗的高频性能，并通过引入碳元素抑制基区自掺杂效应，显著提升晶体管的截止频率（fT）和最大振荡频率（fMAX），从而实现卓越的高频响应能力。该器件在2 GHz以下频段可提供高达20 dB的小信号增益，在整个工作频带内保持平坦的增益响应，有助于简化后续级间匹配网络设计。其低噪声系数（典型值1.2 dB @ 2 GHz）确保在接收链路中有效抑制背景噪声，提升信噪比，特别适用于弱信号放大场景。
　　该晶体管具备出色的线性度表现，三阶交调点（IP3）较高，能够在存在多个载波信号的复杂电磁环境中维持信号完整性，减少互调失真对邻道干扰的影响，这对于多载波功率放大器（MCPA）和数字预失真（DPD）系统的实现至关重要。BGB112支持宽电源电压范围下的稳定工作，且静态工作点可通过外部电阻精确调节，允许设计者根据系统需求优化功耗与性能之间的权衡。其SOT-343小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，配合适当的布局布线可在高环境温度下持续运行。
　　器件内部集成了部分输入输出匹配元件，降低了对外部匹配网络的依赖，缩短了产品开发周期并提高了生产一致性。此外，BGB112表现出优异的温度稳定性，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内参数漂移较小，适合部署于户外基站和恶劣工业环境。其高可靠性和长寿命已通过严格的可靠性测试验证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极应力（HTGS）等项目，确保在关键通信系统中的长期稳定运行。

BGB112广泛应用于各类高性能射频系统中，尤其是在蜂窝通信基础设施领域发挥重要作用。它常被用作宏蜂窝、微蜂窝和微微蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，支持从700 MHz到3.8 GHz的主流移动通信频段，包括但不限于Band 12、Band 13、Band 17以及n77/n78等5G NR频段。在无线回传系统中，BGB112可用于构建点对点或点对多点微波链路的前端放大模块，提供足够的增益以补偿传输损耗。
　　该器件也适用于塔顶放大器（TMA）设计，安装于天线附近以改善上行链路灵敏度，尤其在偏远地区或信号覆盖边缘区域可显著提升网络容量与服务质量。在有线电视（CATV）和宽带接入设备中，BGB112凭借其宽频带响应和高线性度，可用于构建多频道信号放大器，支持DOCSIS标准下的高速数据传输。此外，BGB112还可用于软件定义无线电（SDR）、军用通信设备、测试测量仪器等对射频性能要求较高的专业领域，作为通用型射频放大器核心元件。
　　由于其良好的直流功耗控制和稳定的交流特性，BGB112同样适合集成于远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中，作为波束成形网络前级放大器使用。在物联网网关、私有LTE网络和工业无线通信设备中，该器件能够提供可靠的射频信号增强功能，保障数据链路的稳定性与低误码率。其广泛应用体现了其在现代无线通信生态系统中的重要地位。

BGA28xx系列
　　BGB7015
　　BGA2709
　　PF2330