时间：2025/12/28 20:57:50
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BFV10-8L 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的导热性能和较高的工作电压、电流能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：6.4A
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
BFV10-8L 具有低导通电阻，使得在高电流应用中功耗更低，效率更高。
该器件具备较高的耐压能力，漏源电压可达100V，适用于多种中高压开关电路。
其TO-220封装形式具有良好的散热性能，能够承受较大的功率负载。
栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，便于与多种驱动电路兼容。
内置的体二极管可有效应对感性负载带来的反向电流冲击，提高系统稳定性。
此外，BFV10-8L 还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和PWM控制电路。
整体结构设计优化，具备较高的可靠性和耐用性，适合工业级和汽车电子应用。
BFV10-8L 常用于DC-DC升压/降压转换器、开关电源、电机驱动电路、LED照明驱动、电池管理系统、负载开关控制以及各种需要高效、高可靠MOSFET的电子系统中。
IRF540N, STP6NK60Z, FDPF6N60, 2SK2545
