时间：2025/8/20 22:11:21
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BFT92W,115是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Nexperia（原飞利浦半导体业务）制造，广泛用于中高功率应用，如电源转换、电机控制和负载开关。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优良的热稳定性，适用于多种工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：最大140mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：最大50W
BFT92W,115具备低导通电阻，使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用先进的沟槽技术，确保了优良的导通特性和开关性能，适用于高频开关应用。
其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热管理能力，适合表面贴装，便于自动化生产和散热设计。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在高能量瞬态条件下的稳定性与可靠性。
其栅极氧化层设计可承受高达±20V的电压，提高了抗过压能力和稳定性，降低了误触发风险。
在工作温度范围内，BFT92W,115表现出良好的参数稳定性，适用于各种严苛环境下的工业与汽车应用。
该MOSFET常用于电源管理系统，例如DC-DC转换器、同步整流器和电池充电器中。
在电机控制和驱动电路中，它可用于高效能H桥或负载开关控制。
适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类高功率电子设备中的功率开关应用。
由于其高可靠性和良好的热性能，BFT92W,115也广泛用于UPS（不间断电源）、照明系统和工业逆变器等应用场景。
BFT92W,135、BFT92W-01-E、IRFZ44N、FDPF4N10、NDS8855
