类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：1.9 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：7 A
　　导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：450 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：140 pF @ VDS = 15 V
　　反向传输电容（Crss）：40 pF @ VDS = 15 V
　　栅极电荷（Qg）：8 nC @ VGS = 10 V
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　上升时间（tr）：25 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20 ns
　　下降时间（tf）：15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：SOT-23

BFT34具备多项卓越的电气与物理特性，使其在众多小信号MOSFET中脱颖而出。首先，其采用的先进沟槽栅极技术显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　其次，该器件拥有极低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这使得它在高频开关应用中表现出色，能够实现快速的开关响应并降低驱动损耗。同时，较低的输入和输出电容也减少了对驱动电路的要求，简化了设计复杂度。
　　此外，BFT34的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了其在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成到紧凑型PCB布局中，而且具备良好的散热性能，通过适当的PCB布线可有效传导热量。
　　该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力，在突发过压或感性负载切换时提供一定的保护作用。其栅氧化层经过严格工艺控制，具有高可靠性，能承受高达±20V的栅源电压，避免因误操作导致器件损坏。
　　最后，BFT34符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。这些综合特性使其成为高性能、高可靠性和小型化设计的理想选择。

BFT34广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效能、小尺寸和低功耗特性的场合。常见应用包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电路径控制。在DC-DC转换器拓扑结构中，BFT34常被用作同步整流器或主开关元件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率，减少能量损失。
　　此外，该器件适用于电机驱动电路中的低端开关，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换。在LED照明系统中，BFT34可用于恒流源的开关控制，实现精确的亮度调节功能。
　　它也常用于热插拔控制器、USB端口电源开关以及各类传感器模块的电源门控，防止系统上电过程中的浪涌电流影响其他电路模块。在通信设备中，BFT34可用于射频前端模块的偏置电源控制或信号通路切换。
　　工业自动化系统中，该MOSFET可用于PLC输入输出模块的信号调理电路，作为固态继电器的替代方案，提供更长的寿命和更高的响应速度。总体而言，BFT34凭借其优异的性能指标和可靠的封装工艺，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "BSS138",
　　 "SI2302",
　　 "AO3400",
　　 "FDS6670A",
　　 "IRLML6344"
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