类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：1.8 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：7 A
　　导通电阻（RDS(on)）：100 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：130 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：300 pF @ VDS = 30 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　功耗（Ptot）：1.4 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装：PG-SOT23-3 (SOT23)

BFS21A采用英飞凌成熟的沟槽栅MOSFET工艺，具有非常低的导通电阻，在VGS为10V时RDS(on)仅为100mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。该特性使其特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。器件在4.5V栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻（130mΩ），表明其具备良好的逻辑电平驱动兼容性，可直接由3.3V或5V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换或栅极驱动IC，从而简化了外围电路设计并节省了PCB空间。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，输入电容仅为300pF，配合较低的栅极电荷，使得其在高频开关应用中表现出色，如开关电源中的同步整流或DC-DC降压变换器。同时，较短的反向恢复时间（28ns）减少了体二极管在反向恢复过程中的能量损耗，有助于降低温升并提升系统可靠性。器件的热阻特性良好，结到环境的热阻约为107 K/W，结合1.4W的最大功耗能力，可在合理散热条件下稳定运行。
　　BFS21A具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），确保其在严苛的工业环境或高温密闭空间中仍能保持稳定性能。其栅源电压耐受能力达到±20V，提供了较强的过压保护能力，避免因瞬态电压波动导致器件损坏。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和高压栅极应力（H3TRB），保证了长期使用的稳定性与安全性。封装采用行业标准的SOT23形式，便于自动化贴片生产，且与其他厂商同类产品具有良好的引脚兼容性，有利于供应链的灵活调配。

BFS21A广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其适合作为负载开关、电机驱动单元中的功率开关元件或用于电池管理系统的充放电控制。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中，常被用作电源路径管理或背光LED驱动的开关器件，利用其低导通电阻和小封装优势实现高效节能和紧凑布局。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电控制、继电器驱动电路或小型直流电机的H桥驱动方案，凭借其高可靠性和良好的温度适应性，保障系统在复杂电磁环境和宽温条件下稳定运行。通信设备中，BFS21A可用于PoE（以太网供电）终端的小信号开关或接口电源的隔离控制，满足对响应速度和功耗的双重要求。
　　此外，在计算机外设如打印机、扫描仪和USB集线器中，该MOSFET可作为端口电源开关，实现热插拔保护和过流切断功能。由于其具备较强的抗静电能力（ESD保护），在频繁插拔的接口电路中表现出更高的鲁棒性。在汽车电子辅助系统中，例如车载信息娱乐设备或车身控制模块的小功率负载驱动，BFS21A也可发挥其体积小、效率高的优势。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、可靠功率切换的应用，BFS21A都是一个极具竞争力的选择。

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