BFS17LT1是一款NPN型高频晶体管,广泛用于射频(RF)和开关应用中。这款晶体管由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,采用SOT-23封装,具有较小的体积和良好的高频性能。适用于无线通信设备、射频放大器和高速开关电路等场景。
晶体类型:NPN型
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
最大工作频率(fT):250MHz
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
封装类型:SOT-23
BFS17LT1具有出色的高频特性,能够在高达250MHz的频率下保持稳定的工作性能,适合用于射频放大和高速开关应用。其电流增益范围较宽,hFE可在110至800之间,这使得它能够适应多种设计需求。此外,该晶体管的封装体积小巧,适用于空间受限的电路设计。BFS17LT1还具备良好的温度稳定性和较低的饱和压降,提高了电路的可靠性和效率。
在实际应用中,BFS17LT1能够提供稳定的增益和快速的开关响应,使其成为射频前端电路、信号放大器和数字逻辑电路的理想选择。此外,该晶体管的功耗较低,在300mW范围内可以满足大多数低功耗应用的需求。
BFS17LT1主要应用于射频电路、无线通信设备、高速开关电路以及音频放大器等场景。它在射频功率放大器、低噪声放大器和混频器中表现优异。此外,BFS17LT1也可用于数字电路中的晶体管开关功能,如驱动LED、继电器和小型电机等负载。
BC847, 2N3904, BFQ54