BFS17L 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道增强型高频场效应晶体管(MOSFET),主要用于射频(RF)和高速开关应用。该器件采用先进的技术,具备优异的高频性能和低导通电阻特性,适合用于电源管理、通信系统、无线基础设施以及工业控制设备。BFS17L 采用小型化的 PG-TSON-8 封装,能够在高频率下提供高效率和可靠性。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):22mΩ(典型值)
功率耗散(PD):5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:PG-TSON-8
BFS17L 的主要特性包括出色的高频响应和低导通电阻,这使其在射频功率放大器和高速开关电路中表现优异。其先进的沟槽栅极技术确保了更低的导通损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力,在高温环境下依然能够保持稳定的性能。
另一个显著特点是其封装设计,PG-TSON-8 是一种紧凑且热性能优良的封装,有助于提高 PCB 的空间利用率并增强散热性能。这使得 BFS17L 非常适合用于空间受限但需要高效能的应用场景,如便携式电子设备、电源转换器和 DC-DC 转换器。
BFS17L 还具备良好的抗静电(ESD)能力,能够承受较高的静电放电,从而提高了器件在复杂工作环境中的可靠性和使用寿命。
BFS17L 通常用于射频功率放大器、无线通信设备、高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及各种工业和汽车电子系统。由于其高频特性和低导通电阻,它也常用于高效能的同步整流器和电源管理系统。此外,BFS17L 在电池供电设备中也表现出色,能够延长设备的电池寿命并提高整体能效。
BSC016N03LS、BSC028N03MS、IRFZ44N