类型：NPN RF晶体管
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：12 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：15 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：2 V
　　最大集电极电流（IC）：50 mA
　　最大功耗（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：最小50（典型值约100-200）
　　特征频率（fT）：7 GHz
　　噪声系数（NF）：0.8 dB @ 1 GHz
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　增益带宽积：7 GHz

BFS17GEG具备卓越的高频放大能力，其特征频率高达7 GHz，使其能够在高达数GHz的射频频段内实现高效的小信号放大。这使得该器件非常适合用于UHF、L波段和S波段的无线通信系统中，如蜂窝网络基础设施、Wi-Fi 5/6接入点、蓝牙模块和ISM频段收发器。该晶体管在1 GHz频率下可实现低于0.8 dB的低噪声系数，确保在接收链路前端能够最大限度地保留微弱信号的完整性，从而提升系统的整体灵敏度。
　　另一个显著特点是其稳定的直流电流增益（hFE），通常在50至200之间，具体取决于工作电流和温度条件。这种高增益特性有助于减少级联放大器的级数，简化电路设计并降低整体噪声指数。同时，器件的最大集电极电流为50 mA，允许在适度功率输出需求下保持线性工作状态，适用于低功耗射频放大器设计。
　　BFS17GEG采用SOT-23小型表面贴装封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合自动化高速贴片生产流程。其封装寄生参数经过优化，有助于维持高频下的阻抗匹配性能。此外，该器件具有良好的互调失真表现，能够在多载波或宽带信号环境下保持较高的信号保真度，避免邻道干扰问题。
　　该晶体管还具备出色的温度适应性，可在-55°C至+150°C的结温范围内可靠运行，适用于工业级和部分军用级应用场景。其电气参数在整个温度范围内变化较小，保证了系统长期工作的稳定性。由于采用了无铅环保材料和符合RoHS指令的制造工艺，BFS17GEG也适用于对环保要求严格的消费类电子产品。综合来看，BFS17GEG是一款性能均衡、可靠性高的射频晶体管，适合多种高性能模拟和射频电路应用。

BFS17GEG主要用于各类射频小信号放大电路中，特别是在需要高增益、低噪声和良好频率响应的场合。典型应用包括无线通信系统的接收前端低噪声放大器（LNA），例如在GSM、CDMA、WCDMA、LTE等蜂窝网络基站或用户终端设备中作为射频信号预放大器使用。此外，它也广泛应用于Wi-Fi 2.4 GHz和5 GHz频段的无线局域网（WLAN）模块中，用于增强接收到的微弱信号，提高数据传输的稳定性和距离。
　　在物联网（IoT）设备中，BFS17GEG可用于Zigbee、LoRa、NB-IoT等低功耗广域网络（LPWAN）通信模块的射频前端设计，帮助提升接收灵敏度，延长通信距离。由于其封装尺寸小、功耗低，非常适合集成到空间受限的便携式或嵌入式设备中。
　　该器件还可用于电视调谐器、卫星接收器、FM收音机模块以及软件定义无线电（SDR）平台中的宽带放大电路。在测试与测量仪器领域，BFS17GEG也被用作高频探头或信号调理电路中的增益单元，因其线性度好、失真低而受到青睐。
　　此外，BFS17GEG也可作为振荡器电路中的有源元件，配合LC或陶瓷谐振器构成本地振荡源，用于混频器的本振驱动。在雷达传感器、遥控装置和无线音频传输系统中也有实际应用案例。总之，只要涉及数百MHz以上频率范围内的小信号放大任务，BFS17GEG都是一个值得考虑的高性能解决方案。

MMBT3904BLT1G
　　2SC3356-T1
　　BFR92A