类型：NPN
　　材料：硅
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：3V
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大功耗（Ptot）：250mW
　　直流电流增益（hFE）：40 - 180 @ IC = 10mA, VCE = 5V
　　过渡频率（fT）：5GHz
　　噪声系数（NF）：0.7dB @ f = 1GHz, VCE = 5V, IC = 5mA
　　封装类型：SOT-23

BFR92AS/ON999具备出色的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）高达5GHz，这意味着它能够在甚高频（VHF）和超高频（UHF）范围内有效工作，适用于从几十MHz到数GHz的射频放大任务。该器件在1GHz频率下的噪声系数仅为0.7dB，表明其在接收机前端应用中能有效降低系统噪声，提升信噪比，从而增强整体接收灵敏度。这种低噪声特性使其成为FM广播接收、电视调谐器和无线麦克风等对信号质量要求较高的应用的理想选择。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）范围为40至180，在IC = 10mA、VCE = 5V的工作条件下表现出良好的增益一致性与稳定性。这一宽泛但可控的增益范围允许电路设计人员通过偏置调整优化性能，实现增益与线性度之间的平衡。此外，BFR92AS/ON999在小信号应用中展现出优良的输入输出阻抗匹配特性，有助于减少反射损耗并提高功率传输效率。
　　热稳定性方面，该器件在正常工作温度范围内（-55°C 至 +150°C）保持电气参数的稳定，避免因环境温度变化导致性能漂移。其SOT-23封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热路径，确保在连续工作状态下不会因过热而损坏。同时，该封装形式符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保法规的要求。
　　在制造工艺上，BFR92AS采用先进的平面外延技术，确保了器件的一致性和高良率。其寄生电容和电感参数经过优化，降低了高频下的非理想效应，提升了高频工作的可靠性。此外，该晶体管具有较强的抗静电能力（ESD保护），在生产和装配过程中不易被静电击穿，提高了生产线的成品率。

BFR92AS/ON999广泛应用于各类高频小信号放大电路中，特别是在无线通信系统的射频前端模块中扮演关键角色。例如，在FM收音机和电视调谐器中，它常被用作天线输入端的第一级低噪声放大器（LNA），以增强微弱的射频信号并抑制后续电路引入的噪声。在无线遥控、智能家居传感器节点和RFID读写器等低功耗无线设备中，该晶体管可用于构建高效的射频放大链路或振荡电路。
　　此外，BFR92AS也适用于UHF频段的数据传输系统，如无线音频传输、遥测设备和工业远程控制装置。由于其高增益和低失真特性，该器件还可用于构建高性能的射频缓冲器和驱动级放大器，确保信号在多级处理过程中的完整性。在测试仪器和信号发生器中，BFR92AS可作为宽带放大元件，支持宽频率范围内的信号调理。
　　在便携式和电池供电设备中，其低功耗特性和高效率使得系统续航能力得到保障。同时，SOT-23的小型化封装非常适合高密度PCB布局，广泛用于手机附件、蓝牙适配器、无线耳机充电盒等紧凑型电子产品中。总之，凡是需要在GHz以下频段进行高效、低噪声放大的应用场景，BFR92AS/ON999都是一个可靠且经济的选择。

BC847B, 2N3904, MMBT3904, BFR93A