类型：NPN SiGe:C RF晶体管
　　封装：SOT-343（SC-70）
　　过渡频率（fT）：60 GHz
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：12 V
　　集电极电流（IC）：20 mA
　　噪声系数（NF）：0.9 dB @ 2 GHz
　　直流电流增益（hFE）：70 - 200
　　最大工作频率：10 GHz以上
　　功率耗散（Ptot）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　发射极-基极电压（VEBO）：1.5 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：12 V

BFR84晶体管的核心优势在于其采用的硅锗碳化物（SiGe:C）工艺技术，这种先进的半导体制造工艺显著提升了器件的高频性能与噪声特性。SiGe:C技术通过在硅锗材料中引入碳原子，有效抑制了基区的硼扩散，从而提高了晶体管的均匀性和高频响应能力。这使得BFR84在高达10 GHz以上的频率范围内仍能保持较高的增益和极低的噪声系数，典型值在2 GHz时仅为0.9 dB，非常适合用于对噪声敏感的接收链路前端放大器。此外，该器件具有非常高的过渡频率（fT），达到60 GHz，意味着其在毫米波频段以下的应用中都能表现出色。
　　BFR84的另一个关键特性是其出色的线性度和动态范围，这对于现代通信系统中处理复杂调制信号（如QAM、OFDM等）至关重要。在线性放大应用中，BFR84能够有效减少互调失真（IMD），提升系统整体信号质量。同时，其稳定的直流电流增益（hFE）范围为70至200，表明器件在批量生产中具有一致的电气特性，有助于简化电路设计和量产一致性控制。
　　该器件的小型化封装（SOT-343）不仅节省了PCB空间，还优化了高频下的寄生参数表现，减少了引线电感和杂散电容的影响，有利于实现稳定的阻抗匹配和良好的高频响应。此外，BFR84支持宽温度范围工作（-55°C至+150°C），可在极端环境条件下保持可靠运行，适用于工业级和部分军用级应用场景。其低功耗特性（最大集电极电流仅20 mA）使其非常适合电池供电或对能效要求较高的便携式高频设备。总之，BFR84凭借其高频、低噪、小尺寸和高可靠性，成为高端射频设计中不可或缺的关键元件之一。

BFR84广泛应用于需要高频低噪声放大的各种射频电子系统中。其主要应用场景包括蜂窝通信基础设施中的低噪声放大器（LNA），特别是在GSM、UMTS、LTE和5G微基站的接收前端，用于增强微弱信号的信噪比。在无线局域网（WLAN）设备中，尤其是在5 GHz和6 GHz频段的Wi-Fi 6/6E接入点和客户端模块中，BFR84可用于射频信号的初级放大，确保高速数据传输的稳定性与可靠性。
　　此外，该器件也常用于卫星通信地面站、GPS导航系统、点对点微波链路和雷达接收机前端，这些应用通常要求极低的噪声系数和高频率响应能力。BFR84的高fT和优良匹配特性使其能够胜任X波段甚至更高频段的信号处理任务。
　　在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，BFR84也被用作高频放大单元的核心器件，以确保测试信号的完整性与精度。其小型封装还适用于紧凑型模块化设计，例如射频收发模块、物联网（IoT）网关和智能天线系统。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，BFR84也可部署于户外通信设备和工业自动化系统中的无线接口单元。总的来说，凡是需要在GHz频段内实现低噪声、高增益放大的场合，BFR84都是一种极具竞争力的解决方案。

BFR86
　　BFR92A
　　MRF5711
　　NE85633
　　BFP740