类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：150 mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：600 mA
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 2.0 V，范围 1.0 ~ 3.0 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 8.5 Ω @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 30 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 12 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 4.5 pF
　　功耗（Ptot）：典型值 350 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SOT-23

BFQ135采用英飞凌成熟的沟槽型MOSFET工艺制造，具备优异的开关特性和稳定的热性能表现。其核心优势之一在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下典型值仅为8.5Ω，这使得器件在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统整体能效。这一特性特别适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。
　　该器件的阈值电压范围为1.0V至3.0V，使其能够兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可实现直接驱动，简化了外围设计并降低了系统成本。同时，BFQ135具有较低的输入电容（Ciss约30pF）和反向传输电容（Crss约4.5pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，减少了开关延迟和交叉导通风险，提升了系统的响应速度和效率。
　　SOT-23封装不仅保证了紧凑的占板面积，还有助于提升PCB布局的灵活性，尤其适合高密度组装环境。尽管体积小巧，但该封装仍具备良好的热传导能力，在自然对流条件下可有效散发工作时产生的热量，确保长期运行的可靠性。
　　BFQ135的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在极端高低温环境下稳定工作，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场合。此外，器件通过了严格的ESD防护测试，增强了在生产和使用过程中的抗干扰能力，降低了因静电放电导致损坏的风险。综合来看，BFQ135是一款兼具高性能、高可靠性和易用性的N沟道MOSFET，非常适合用于中小功率开关控制应用。

BFQ135因其优良的电气特性与紧凑封装，广泛应用于多个电子领域。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用作负载开关或电源路径控制器，用于控制不同功能模块的供电通断，从而实现节能和延长电池续航时间。
　　在电源管理系统中，BFQ135可用于DC-DC升压或降压转换器中的同步整流或低端开关，利用其低RDS(on)特性减少能量损耗，提高转换效率。此外，在LED照明驱动电路中，该器件可作为恒流源的开关元件，精确控制LED的亮灭与亮度调节，适用于背光控制或状态指示灯驱动。
　　工业控制设备中，BFQ135可用于继电器驱动、传感器供电控制或数字I/O扩展电路中的开关单元，提供快速响应和可靠的信号隔离功能。由于其具备一定的耐压能力（100V VDS），也可用于低压电机控制或电磁阀驱动等轻载功率切换场合。
　　在通信设备中，BFQ135可用于信号路由选择、射频前端模块的偏置控制或接口电平切换，凭借其快速开关能力和低寄生参数，有助于维持信号完整性。
　　此外，由于其符合RoHS标准且支持自动化贴片工艺，BFQ135也广泛用于各类批量生产的电子模块中，如电源适配器、充电器、智能家居控制板等。总的来说，BFQ135是一款通用性强、适应面广的MOSFET器件，适用于需要小型化、低功耗和高可靠性的开关控制应用。

BSS138
　　2N7002
　　FDS6670A
　　SI2302DS