BFG520/XR 是一种双极性晶体管(BJT),主要用于高频和射频应用。该器件属于硅锗(SiGe)异质结双极性晶体管(HBT)系列,具有高截止频率和低噪声特性,适用于无线通信、射频放大器和其他高频电路设计。
BFG520/XR 在高频段表现出色,能够实现高增益和良好的线性度,广泛应用于基站、无线模块、雷达系统以及测试与测量设备中。
类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):4.5 V
集电极电流(Ic):150 mA
直流电流增益(hFE):100
过渡频率(fT):18 GHz
最大功耗(Ptot):375 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-363
BFG520/XR 拥有卓越的高频性能,其过渡频率高达 18 GHz,非常适合射频和微波应用。此外,该晶体管具备低噪声系数,能够在高频条件下提供较高的增益和稳定性。
由于采用了硅锗技术,BFG520/XR 在高速开关和线性放大方面表现出色。它还具有良好的热稳定性和可靠性,适合在恶劣环境下运行。
该器件的小型化 SOT-363 封装使其易于集成到紧凑型设计中,同时减少了寄生效应,进一步提升了高频性能。
BFG520/XR 广泛应用于以下领域:
1. 射频放大器和混频器
2. 高速开关电路
3. 无线通信系统
4. 基站收发信机
5. 雷达和导航系统
6. 测试与测量设备
7. 光纤通信中的信号处理
该晶体管凭借其出色的高频特性和低噪声性能,成为许多高性能射频应用的理想选择。
BFP740, BFG521