类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（Vds）：12 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±6 V
　　最大漏极电流（Id）：100 mA
　　最大功耗（Ptot）：250 mW
　　过渡频率（ft）：6 GHz
　　噪声系数（NF）：0.8 dB @ 1 GHz
　　增益（Gps）：14 dB @ 1 GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-343

BF859的核心特性在于其卓越的射频性能和低噪声表现，这使得它在高频信号放大应用中表现出色。该器件基于硅基双极互补金属氧化物半导体（SiGe:C BiCMOS）工艺平台构建，这种先进工艺不仅提升了载流子迁移速度，还有效降低了寄生电容和电阻，从而显著改善了器件的高频响应能力。在1 GHz频率下，BF859可实现低至0.8 dB的噪声系数，这对于接收链路的灵敏度至关重要，能够有效提升系统的信噪比。同时，其功率增益高达14 dB，确保了足够的信号放大能力，减少了后续放大级的需求，简化了整体电路设计。
　　另一个关键特性是其良好的输入输出匹配特性，BF859在典型工作条件下无需复杂的外部匹配网络即可实现稳定的阻抗匹配，通常可在50 Ω系统中直接集成使用，降低了设计复杂度并节省了PCB空间。此外，该器件支持宽范围的工作电压（最高12 V）和较低的静态电流消耗，允许设计者在性能与功耗之间进行灵活权衡，尤其适用于需要长时间运行的便携式设备。
　　BF859还具备出色的线性度和互调失真性能，在多载波或高动态范围应用中能维持较高的信号保真度。其SOT-343封装不仅体积小巧（仅2.1 x 2.1 mm），而且引脚间距适中，兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产。热阻方面，该封装提供了合理的散热路径，保证在持续工作条件下的稳定性。由于其高度集成化和优化的内部结构，BF859在电磁干扰（EMI）抑制方面也有良好表现，有助于满足各类电磁兼容性（EMC）标准。总之，BF859凭借其高频性能、低噪声、小尺寸和易用性，成为现代无线通信系统中不可或缺的关键元件。

BF859广泛应用于各种高频低噪声放大器（LNA）电路中，尤其是在移动通信和个人无线设备领域。一个典型的应用场景是作为蜂窝通信系统（如GSM、CDMA、LTE）接收前端的第一级放大器，用于放大微弱的天线接收到的射频信号，同时引入尽可能少的额外噪声，从而提高整个接收机的灵敏度。在WLAN系统（例如IEEE 802.11a/b/g/n/ac）中，BF859可用于2.4 GHz和5 GHz频段的低噪声放大，支持高速数据传输和稳定的无线连接性能。此外，它也常被用于蓝牙和ZigBee等短距离无线通信模块中，以增强信号接收能力和通信距离。
　　在卫星导航系统（如GPS、GLONASS、北斗）中，BF859因其在L波段（约1.5 GHz）的良好噪声性能而被广泛采用，能够有效放大来自卫星的极微弱信号，提升定位精度和启动速度。该器件还可用于UHF RFID读写器、无线传感器网络节点以及便携式对讲机等设备中，作为射频前端的关键增益单元。由于其宽频带特性，BF859也能适应多模多频系统的设计需求，支持跨频段操作，减少元器件种类，降低系统成本。
　　在测试测量仪器和射频收发模块中，BF859同样发挥着重要作用，例如在频谱分析仪、信号发生器或小型化软件定义无线电（SDR）平台中作为前置放大器使用。其稳定的增益特性和良好的温度稳定性使其在环境变化较大的工业应用中依然可靠运行。综上所述，BF859凭借其高性能和灵活性，已成为现代射频电子系统中广泛应用的标准低噪声放大器件之一。

BFG859W,BF860,BFP740