时间：2025/9/14 23:13:38
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BF824,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率开关应用。BF824,215 通常采用 SOT223 封装，适用于表面贴装技术，便于在紧凑型电子设备中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT223
BF824,215 采用先进的 Trench MOS 技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的耐用性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。SOT223 封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和焊接，提高了系统的可靠性。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，适合在高应力环境下使用。
BF824,215 还具备较低的阈值电压（VGS(th)），使其能够与多种控制电路兼容。其栅极保护二极管设计可有效防止静电放电（ESD）对器件造成损坏，提高了器件的可靠性。由于其优异的电气性能和稳定的封装结构，BF824,215 在电源管理、电机控制和负载开关等领域具有广泛的应用前景。
BF824,215 主要用于中低功率电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电机驱动电路。此外，它也适用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中的功率开关控制。由于其高频特性和低导通损耗，该器件在开关电源（SMPS）和 LED 驱动电路中也有良好的表现。
BUZ105S, 2SK3018, IRFZ44N, FDPF4N60
