BF822,215 时间：2025/9/15 0:39:50 阅读：13

BF822,215 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。BF822,215 采用小型DFN封装，具有较低的导通电阻和优良的热性能，适用于紧凑型电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.1A
　　导通电阻(Rds(on))：45mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：60mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：2.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN1006
　　引脚数：6

特性

BF822,215 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压（Vgs），提高了在高频开关应用中的稳定性和抗干扰能力。
　　其DFN1006封装形式具有良好的热管理性能，能够在高电流负载下保持较低的温升，适用于空间受限的便携式设备设计。
　　BF822,215 支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频率DC-DC转换器和同步整流器等应用。
　　此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够在突发电压或感性负载切换时提供更高的可靠性。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子产品对环保的要求。

应用

BF822,215 主要用于需要高效能和小尺寸功率开关的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理电路、同步降压或升压转换器、负载开关控制、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及LED照明驱动电路。
　　在DC-DC转换器中，BF822,215 可作为高边或低边开关使用，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减小电感和电容的尺寸。
　　在电池供电设备中，该MOSFET可用于实现高效的电源切换和负载管理，延长电池使用寿命。
　　此外，BF822,215 也适用于需要快速响应和低功耗的汽车电子系统，如车载充电器、LED车灯驱动等应用。